Изменение - концентрация - электрон
Cтраница 1
Изменение концентрации электронов на глубоком уровне происходит по экспоненциальному закону с постоянной времени (5.81), если интенсивность света во всей области объемного заряда одинакова. Это условие реализуется, если коэффициент поглощения света достаточно мал. Энергию ионизации глубоких уровней можно найти из спектра фотоемкости по минимальной энергии фотона, при которой происходит изменение емкости. Однако точное определение положения уровня возможно лишь на основе теории, описывающей форму линии поглощения для рассматриваемых переходов. [1]
Изменение концентрации электронов в осевом направлении внутри ядра обусловлено падением давления в гиперзвуковом потоке. Известно, что для уменьшения давления за головной ударной волной при гиперзвуковых скоростях до давления окружающей среды требуется значительное расстояние. В дальней части следа после падения давления до значения в окружающей среде концентрация электронов ввтутри ядра изменяется либо вследствие диффузии, либо вследствие других типов диссипации. [2]
 |
Оже - рекомСинация, при которой энергия уносится дыркой, которая жа спиново отщепленной валентной зоны и, переносится в зову тяжелых дырок с. с - зова проводимости. [3] |
Изменения концентрации электронов и дырок в зонах и на примесях-ловушках определяется системой ур-ний, в к-рые входят концентрации ловушек, свободных ( Лг) и занятых ( М) электронами ( N - M - полная концентрация ловушек), коэф. [4]
 |
Схема электронного умножителя. [5] |
Изменение концентрации электронов в рабочей среде достигается неск. В первых двух случаях имеют место разные виды эмиссии ( термоэлектронная эмиссия, фотоэлектронная эмиссия, вторичная эмиссия и др.), а также инжекция неосновных носителей заряда и экстракция носителей заряда. [6]
 |
Схема электронного умножителя. [7] |
Изменение концентрации электронов в рабочей среде достигается неск. В первых двух случаях имеют место разные виды эмиссии ( термоэлектронная эмиссия, фотоэлектронная эмиссия, вторичная эмиссия и др.), а также инжещия неосновных носителей заряда и экстракция носителей заряда. [8]
Изменение концентрации электронов проводимости ведет к значительному изменению фермиевской энергии электронов. В связи с этим можно ожидать изменения парциальной молярной свободной энергии или активности растворенного металла, если концентрация электронов проводимости изменяется при добавлении других легирующих элементов. [9]
Определение изменения концентрации электронов с температурой может производиться либо путем измерения электропроводности, либо ( в случае реакции в пламени) путем измерения диэлектрической проницаемости на сверхвысоких частотах. [10]
Скорость изменения концентрации электронов вследствие рекомбинации равна d & n / dt - Аге / тп - Число электронов, теряемых в секунду внутри образца при рекомбинации, есть Дп - 6хЛ / тп. [11]
Второй член описывает изменение концентрации электронов в элементарном объеме dV вследствие поступления или ухода электронов из него при протекании тока. [12]
Причиной изменения процесса смачивания минералов являются изменения концентрации электронов. [13]
По его показаниям можно только следить за изменением концентрации электронов, если предварительно прокалибровать зонд по какому-либо абсолютному методу. Для плазмы в магнитном поле концентрацию заряженных частиц определяют микроволновыми методами. Чтобы понять сущность этих методов, необходимо ознакомиться с распространением радиоволн в плазме, что мы и сделаем в соответствующем месте. [14]
Страницы: 1 2 3 4