Изменение - концентрация - электрон
Cтраница 2
Как видно из рис. 118, при изменении концентрации электронов от 10 до 5 - Ю18 см 3 зона проводимости заполняется электронами на 0 3 эв выше Ес. Смещение края поглощения с ростом степени вырождения называется эффектом Бурштейна. [16]
Но изменение ширины запрещенной зоны должно привести к изменению концентрации электронов и дырок. [17]
Изменения проводимости в полупроводниковых элементах обусловлены прежде всего изменением концентрации электронов в зоне проводимости ( или дырок в валентной зоне) в результате обмена зарядами с адсорбированными частицами газовой фазы. Именно поэтому материалы на основе полупроводниковых элементов представляют интерес для изготовления на их основе газочувствительных элементов. [18]
 |
Зависимость сечения столкновения от скорости электронов для аргона, криптона и ксенона. [19] |
Изменение подвижности электронов при постоянной напряженности поля приводит к изменению концентрации электронов. [20]
Свойства функции распределения Ферми - Дирака таковы, что-при изменении положения уровня Ферми изменение концентрации электронов обратно пропорционально изменению концентрации дырок. [21]
 |
Зависимость концентрации электронов и дырок в чистом PbS и PbS, содержащем добавки Ag и Bi, от давления паров серы при 1000 К. [22] |
Концентрации некоторых компонентов изменяются в определенных интервалах давления паров серы; в частности предсказанное изменение концентрации электронов и дырок соответствует, как видно из рис. 48, наблюдаемому экспериментально. [23]
Допплеровское смещение частоты характеризует изменения в ионосфере, вызываемые движениями отражающего слоя или изменениями концентрации электронов ниже точки отражения. [24]
Изменение концентрации дырок в зависимости от величины напряжения на переходе сопровождается таким же изменением концентрации электронов. Следовательно, при изменении напряжения на переходе во внешней цепи появится емкостная составляющая тока, обусловленная изменением величины заряда подвижных носителей, запасенных в полупроводнике вне области обедненного слоя. Эта составляющая на эквивалентной схеме соответствует протеканию тока через диффузионную емкость. [25]
Так же, как и в собственном полупроводнике, происходит искривление зон энергии и изменение концентраций электронов и дырок. При У 0 увеличивается концентрация электронов, при У 0 - дырок, поэтому приповерхностный слой обедняется основными носителями заряда и обогащается неосновными. [26]
Так же, как и в собственном полупроводнике, происходит искривление зон энергии и изменение концентраций электронов и дырок. При Vs0 увеличивается концентрация электронов, при 1Л ] 0 - дырок, поэтому приповерхностный слой обедняется основными носителями заряда и обогащается неосновными. [27]
Члены уравнения (5.4): Вг -, В, Врек, Впр описывают скорости изменения концентрации электронов с фиксированным уровнем энергии е соответственно за счет каскадной ионизации, возбуждения частиц пара в результате неупругих соударений с электронами, процессов рекомбинации и прилипания. [28]
 |
Устройства для зеркального наложения. а - система зеркал. б - призма Дове. [29] |
Изменение рефракции б ( п - 1) может быть обусловлено изменением плотности газа, изменением концентрации электронов, или действием обеих этих причин. В первом случае величина 8 ( п - 1) практически не зависит от длины волны. [30]
Страницы: 1 2 3 4