Изменение - концентрация - электрон
Cтраница 3
Изменение рефракции б ( га - 1) может быть обусловлено изменением плотности газа, изменением концентрации электронов, или действием обеих этих причин. В первом случае величина б ( п - 1) практически не зависит от длины волны. [31]
Можно указать две причины, вызывающие диффузию, и, следовательно, два источника термоэлектричества: изменение концентрации электронов с температурой и изменение их скорости. Какое из этих явлений следует считать основным и в каких случаях. [32]
При построении более точной теории электростатических колебаний следует учитывать градиент давления электронного газа в плазме, обусловленный изменениями концентрации электронов. [33]
В общем случае изменение рефракции обусловлено изменением плотности газа, концентрации частиц, образующих линии поглощения, а также изменением концентрации электронов. Раздельное определение всех этих величин возможно лишь, если определено изменение рефракции для нескольких длин волн. Для этого необходимо зафиксировать положение в спектре нескольких размытий. [34]
 |
Устройства для зеркального наложения. а система зеркал, б призма Дове. [35] |
В общем случае изменение рефракций обусловлено изменением плотности газа, концентрации частиц, образующих линии поглощения, а также изменением концентрации электронов. Раздельное определение всех этих величин возможно лишь, если определено изменение рефракции для нескольких длин волн. Для этого необходимо зафиксировать положение в спектре нескольких размытий. [36]
Не меньшую роль играет рекомбинация в нестационарных процессах; благодаря ей свободные носители имеют конечное время жизни, а время жизни характеризует скорость изменения концентраций электронов и дырок при быстрых изменениях внешних факторов. Поэтому изучение механизма рекомбинации и ее количественных закономерностей необходимо для понимания и использования многих важнейших явлений в полупроводниках и полупроводниковых приборах. [37]
В рассматриваемом случае при хемосорбции уменьшается число слабо связанных электронов в граничном слое толщины /, но полный потенциал остается постоянным по всему кристаллу, так как изменения концентрации электронов компенсируются изменениями электрического потенциала. [38]
В основе теории Давыдова и Пекара лежит представление о том, что изменение контактного сопротивления ( в частности, асимметричное изменение, приводящее к выпрямлению) зависит от изменения концентрации электронов или дырок в сторону увеличения или уменьшения под влиянием внешнего электрического поля. [39]
Поскольку величина удельной электрической проводимости определяется величиной заряда электрона, концентрацией носителей заряда и их подвижностью, можно утверждать, что причиной изменения электропроводности в таком случае является изменение концентрации электронов проводимости. [40]
Мы видим, таким образом, что контактная разность потенциалов слагается из величины, которая зависит от разности работ выхода электронов, и величины, которая определяет изотермическую работу изменения концентрации электронов, отнесенную к одному электрону. Первая величина - разность работ выхода - значительно больше второй и обычно имеет порядок нескольких вольт или десятых долей вольта. Но работа выхода мало зависит от температуры, и поэтому для холодного и горячего спаев разности работ выхода в алгебраической сумме ( при обходе цепи в одном направлении) сокращаются. [41]
Благодаря существованию больших градиентов электронной плотности во фронте ВУВ и высокой подвижности электронов, связанной с исключительной малостью их массы, создаются благоприятные условия для диффузии электронного газа относительно ионного, изменения концентрации электронов и возникновения объемных зарядов. Диффузия в холодной плазме существенно отличается от диффузии в смеси нейтральных газов. Дело в том, что малейшее изменение относительной концентрации электронов и ионов, которое приводит к образованию объемных зарядов и поляризации плазмы, сопровождается возникновением мощного электрического поля во фронте ВУВ. Поле препятствует дальнейшей поляризации и сдерживает диффузионный ток электронов. Электроны смещаются к передней границе ВУВ, и наряду с областью повышенной концентрации электронов в передней части фронта возникает область пониженной концентрации в тыльной части фронта. [42]
Благодаря существованию больших градиентов электронной плотности во фронте ВУВ и высокой подвижности электронов, связанной с исключительной малостью их массы, создаются благоприятные условия для диффузии электронного газа относительно ионного, изменения концентрации электронов и возникновения объемных зарядов. Диффузия в холодной плазме существенно отличается от диффузии в смеси нейтральных газов. Дело в том, что малейшее изменение относительной концентрации электронов и ионов, которое приводит к образованию объемных зарядов и поляризации плазмы, сопровождается возникновением мощного электрического поля во фронте ВУВ. Поле препятствует дальнейшей поляризации и сдерживает диффузионный ток электронов. Электроны смещаются к передней границе ВУВ и наряду с областью повышенной концентрации электронов в передней части фронта возникает область пониженной концентрации в тыльной части фронта. [43]
Кристаллогеометрические - характеристики каждого металла определяются состоянием электронов в кристалле, в частности их концентрацией, локальной электронной конфигурацией, наличием ковалентной составляющей сил связи. Изменение концентрации электронов при легировании должно приводить к колебанию устойчивости исходной решетки и ее постепенной подготовке к переходу структуры компонента от А к В. В результате статические смещения атомов из узлов решетки возрастают, возникает ближний порядок смещений. Эффекты нарастают по мере увеличения концентрации легирующего элемента и вблизи структурного фазового перехода приводят к потере устойчивости решетки в определенных кристаллографических направлениях. Именно поэтому энергия дефекта упаковки при легировании, как правило, снижается, отражая снижение сдвиговой устойчивости решетки в сплаве. [44]
Примером могут служить системы Аи - Pt ( гл. Однако изменение концентрации электронов проводимости зачастую не оказывает большого влияния. [45]
Страницы: 1 2 3 4