Сложное стекло

Cтраница 2

Кривые интенсивности рассеяния рентгеновских лучей под малыми углами для исходных ( сплошные кривые и пористых ( пунктирные кривые стекол. [16]

При разном составе областей ( в сложных стеклах) разность между электронными плотностями будет значительно большой, чем в однокомпонентных стеклах. [17]

Результаты, представленные в докладе, для сложных стекол получены при медленном охлаждении от температуры варки в течение 500 час. Объяснение фазового разделения в малощелочных стеклах основывается на модели Бокриса, согласно которой даже в малощелочном расплаве существуют дискретные силикатные анионы размером около 20 А. При охлаждении анионы полимеризуются. Заржицкий сообщил о паракристаллической структуре плавленого кремнезема, однако недавно Юмен пытался обнаружить признаки неоднородной структуры, но безуспешно. [18]

Na 0, найденные двумя способами для тройных и сложных стекол, весьма близки между собой. Они близки и к разностным значениям gNazO в двойной системе, но все же отличаются от последних. [19]

Мазурин предложил формулы для расчета удельного объемного сопротивления сложных стекол в зависимости от их состава. [20]

Сказанное находит экспериментальное подтверждение в ряде физико-химитеских свойств сложных стекол - в частности в явлениях электропроводности и электролиза. [21]

В своей следующей работе Инглиш & описал измерения вязкости более сложных стекол, например таких натриево-известковых стекол, в которых известь систематически замещалась окисью магния или алюмл-ния. Результаты показаны на фиг. Смешанные натриево-известко-во-магнезиальные стекла в общем имеют меньшую вязкость, чем конечные типы: стоило произвести замену лишь 0 2 мол. MgO, которое сказалось на кривой, она стала более пологой. Действительно, стекла, содержащие окись магния наряду с окисью кальция, более равномерно твердеют между 800 и 1200 С, чем чистые известковые стекла. Минимумы вязкости также не отвечают постоянным концентрациям. [22]

Кривые рассеяния. [23]

Аналогичным путем были найдены взаимно подтверждающиеся результаты также для строения сложных стекол и для условий укрупнения кристаллитов. Так, Н. Н. Валенков и Е. А. Порай-Кошиц [43; 47] отметили, что в поликомпонентных стеклах возможно существование кристаллитов разного состава. В силу этого кривая рассеяния оказывается усложненной. Она может быть получена суммированием частных кривых для отдельных типов кристаллитов. [24]

Константы для расчета плотности стекла. [25]

Следует отметить, что приведенные этими авторами величины получены при анализе сложных стекол и поэтому они более справедливы для многокомпонентных, а не для простых стекол. [26]

Таким образом, приведенные выше факты, показывающие применимость закона электролиза к сложным стеклам, подтверждают их ионную природу. [27]

Это и демонстрируется величиной asi ( v Парциальный коэффициент расширения SiO2 в сложном стекле в несколько раз больше коэффициента расширения свободного стеклообразного кремнезема. [28]

Мы не будем останавливаться на практических приемах определения объемных соотношений окислов в простых и сложных стеклах, которые изложены в I1 ], а укажем лишь, что эти отношения обусловлены особенностями структуры, которую принимают окислы при образовании соединений в стекле. [29]

Стенворт [15], Кокс и Кирби [16] провели менее детальный анализ кинетики расстекловывания более сложных стекол и пришли к такому же заключению: скорость роста кристаллов изменяется с температурой не столь резко, как этого следовало бы ожидать, исходя из того, что скорость роста кристаллов обратно пропорциональна величине вязкости стекла. [30]

Страницы: 1 2 3 4