Оксидное стекло

Cтраница 3

ПП; увеличение его электронной проводимости достигается повышением объемной ( халькогенидные и оксидные стекла) или поверхностной ( стекла с тонким пленочным покрытием из оксидов металлов - олова, индия, титана, кадмия и др.) электрич. [31]

В работе [1 ] было показано, что для исследованных нами бинарных оксидных стекол параметры спин-гамильтониана, описывающего спектр ЭПР, удовлетворяют критерию, позволяющему идентифицировать спектр с молекулярным ионом ванадила, в котором ион V ( IV), формально включаемый в состав VO ( II), находится в шестерной координации. При этом анизотропные значения g свидетельствуют о том, что в стеклах локальная симметрия иона V ( IV) отличается от октаэдрической; полученные значения параметров спектра ЭПР не противоречат предположению, что, как и в соединениях, изученных в [2], ионы V ( IV) в комплексе имеют локальную симметрию типа Ctl. Cu ( II) в кристаллах с известными межионными расстояниями [4] позволяет считать такой октаэдр настолько вытянутым, что ближайшее окружение ионов Cu ( II) можно рассматривать как плоский квадрат. [32]

В большинстве работ, посвященных исследованию ЭПР переходных элементов в оксидных стеклах, экспериментальные результаты интерпретируются с точки зрения теории поля лигандов, в рамках которой нельзя количественно связать параметры спектров ЭПР с характеристиками химических связей в лигандном узле переходного элемента. Такая задача может решаться в рамках теории молекулярных орбиталей в приближении Л К АО. [33]

К этим двум новым группам стекол относятся так называемые халько-генидные стекла и оксидные стекла на основе окислов ванадия и фосфора. [34]

Прежде чем перейти к обсуждению следующего этапа в развитии структурных представлений об оксидных стеклах, напомним читателю, что в окислах, которые мы рассматриваем, межатомные связи не являются чисто ионными. В ионных соединениях отношение радиусов влияет на структуру, определяя максимальное число сферических анионов, которые могут быть размещены вокруг катиона так, чтобы при этом сохранилось взаимодействие катион - анион. Ясно, что это число увеличивается при возрастании отношения радиусов и его можно рассчитать из простых геометрических соображений. [35]

Термическая ширина запрещенной зоны, полученная из кривых температурного хода проводимости, в оксидных стеклах на основе Р2О5 V2O5 составляет 0 65 - 1 2 эв. В обычных оксидных стеклах с ионной проводимостью на основе SiO2 энергия активации колеблется в пределах 1 1 - 1 2 эв. [36]

Микротвердость стеклообразных полупроводниковых сплавов. [37]

Установлено, что прочностные характеристики халькогенидных стекол находятся на значительно более низком уровне, чем оксидных стекол. [38]

Наиболее часто в качестве изоляционных материалов БГИС применяют неорганические диэлектрики: окислы металлов и полупроводников, оксидные стекла. [39]

Особенно заметно изменяются при переходе от стекла одного состава к другому свойства главных элементарных частиц всех оксидных стекол - ионов кислорода, а также тех ионов металлов, которые имеют рыхлую электронную оболочку. [40]

Нельзя ожидать, что уравнение ( 8) будет применимо к более сложным материалам, таким, как многокомпонентные оксидные стекла. [41]

Дано краткое обсуждение некоторых особенностей внедрения переходных ионов Cu ( II) и V ( IV) в структурную сетку оксидных стекол. За основу взяты экспериментальные результаты по изучению спектров ЭПР и электронного поглощения в бинарных оксидных стеклах и полученные на их основании оценки параметров химических связей в комплексах в приближении МО ЛКАО. Распределение спинолых плотностей внутри комплексов существенно зависит от матрицы стекла. [42]

Если с теоретической точки зрения проще всего такие стеклообразные объекты, как полупроводящие халькогенидные стекла, то практически наибольший интерес представляют оксидные стекла и особенно силикаты благодаря их стабильности, прозрачности и пластичности. Ползучесть - это явление, которое но ит совершенно общий характер, и ее можно наблюдать макроскопически вв оконных стеклах, сохранявшихся в течение сотен лет. [43]

Электронная проводимость играет существенную роль лишь в полупроводниковых стеклах, в частности, в халькогенидных, в бесщелочных и в некоторых щелочных оксидных стеклах, в случае, если последние содержат окислы переходных элементов. [44]

В настоящем сообщении на основании экспериментальных данных по изучению спектров ЭПР и электронного поглощения кратко обсуждаются некоторые особенности внедрения Gu ( II) и V ( IV) в структурную сетку оксидных стекол. [45]

Страницы: 1 2 3 4