Cтраница 1
Доменная стенка проходит через ось г под углом 45 к осям к и у. Необходимость избежать появления значительного магнитного поля по-прежиему стремится удержать вектор М в плоскости стенки. Но магнитная анизотропия в этом случае несколько выводит М из указанной плоскости. [1]
Доменная стенка проходит через ось z под углом 45 к осям х и у. Необходимость избежать появления значительного магнитного поля по-прежнему стремится удержать вектор М в плоскости стенки. Но магнитная анизотропия в этом случае несколько выводит М из указанной плоскости. [2]
Доменная стенка проходит через ось г под углом 45 к осям к и у. Необходимость избежать появления значительного магнитного поля по-прежиему стремится удержать вектор М в плоскости стенки. Но магнитная анизотропия в этом случае несколько выводит М из указанной плоскости. [3]
Доменные стенки в массивном образце являются стенками Блоха, разд. В тонких пленках наряду с ними могут существовать стенки Нееля и стенки промежуточного типа. Однако даже и с этими упрощающими предположениями расчеты формы и плотности энергии стенки сложны, из-за трудности оценки составляющей магнитостатист чедкой энергии, разд. [4]
Поскольку доменные стенки с БЛ разного знака не обладают статич. БЛ начинают раскручиваться ( аннигилировать), что приводит к движению ЦМД по инерции ( баллистич. Прорыв ГБЛ на поверхность пленки может сопровождаться также хаотич. [5]
Образование доменной стенки невыгодно, если размер частиц меньше критического. Критический размер частицы сферической формы для железа равен 0 01 мкм. [6]
![]() |
Микрофотографии доменов в феррито-вой пластине. [7] |
Энергия доменных стенок для таких ферритов-гранатов составляет алЛО 1 эрг / см2, а характерная длина Z l мкм. [8]
![]() |
Зависимость намагниченности ферромагнетика от величины приложенного поля. [9] |
Число доменных стенок в ферромагнитном образце зависит от доменной структуры кристалла в основном состоянии и, в конечном счете, от числа эквивалентных осей легкого намагничивания. [10]
Для 90-градусной доменной стенки, как мы видели в разделе 2.2, взаимодействие заряженных носителей с доменной стенкой осуществляется не только через аналогичное рассмотренному искажение ее профиля, но и через взаимодействие с внутренним электрическим полем, существующим в такой границе. [11]
Па 180 -ной доменной стенке изменяется фаза силовой волны на я, которая затем вызывает изменение амплитуды свободной волны на величину, равную, но противоположную по направлению силовой волне. [12]
Схематически такая доменная стенка изображена на рис. 1.4. В дальнейшем удобно перейти к локальной системе координат ( xYZ), ось Z которой связана с равновесным направлением намагниченности М ( г) в данном месте кристалла. [13]
Вдали от доменной стенки поле х принимает нулевое значение, однако вблизи стенки это не так при малых fix. Чтобы убедиться в этом, покажем, что конфигурация ( р ( z), х - 0 являющаяся решением полной системы полевых уравнений, неустойчива относительно малых возмущений. Эти решения не растут со временем. [14]
Если для доменных стенок в сегнетоэлектриках можно говорить о преимущественной их ориентации, определяемой, главным образом, симметрийными соображениями, то для межфазных границ ввиду очевидной замкнутости поверхности, ограничивающей зародыш новой фазы, необходимо рассматривать межфазные границы произвольной ориентации. [15]