Доменная стенка

Cтраница 2

Процесс смещения доменных стенок, приводящий к сильному увеличению намагниченности, происходит в слабых полях, что находит свое объяснение в теории процессов смещения границ доменов. [16]

При отклонении доменной стенки от инвариантной плоскости возникают разрывы сплошности, которые в зависимости от направления смещения стенки ( рис. 4.4 б, в) могут быть описаны двойникующими краевыми ( рис. 4.4 б) или винтовыми ( рис. 4.4 в) дислокациями с векторами Бюргерса b гораздо меньшими, чем решеточная постоянная а. [17]

Деформация профиля доменной стенки может иметь не равновесный, а энтропийный характер и быть вызванной тепловыми флуктуациями ее профиля. [18]

Предполагая отсутствие доменных стенок, по аналогии с расчетами по С - В теории в однослойных пленках ( разд. При этих вычислениях обычно считают, что азимут М внутри слоя является функцией расстояния в направлении, перпендикулярном поверхности пленки ( таким образом, вводится обменное взаимодействие), в то время как d, M, Н и направления ЛО пленок считаются известными. Величины любого из этих или всех параметров таких слоев пленки, для которых необходимо сделать вычисления положения М и порогов перемагничивания могут быть различны. При экспериментальном исследовании этих связанных пленочных систем обычно наблюдается хорошее согласие с теорией. [19]

Микроструктура керамики ( поликристаллического тела ВаТЮ3. [20]

Но образование доменных стенок требует затраты энергии. [21]

Если положение доменной стенки стабилизировано примесями, порами, механическими напряжениями и пр. [22]

Рассмотрим строение 180-градусной доменной стенки. Для определения распределения полной поляризации в границе необходимо найти связь между ионной и электронной поляризацией. [23]

При рассмотрении геометрически правильной, недеформированной доменной стенки в сегнетоэлектрике под ее шириной понимается область, в пределах которой происходит обращение вектора поляризации между его значениями в соседних доменах. [24]

В такой доменной стенке, называемой стенкой Нееля, нет полюсов на поверхности пленки, но вместо этого внутри стенки возникают объемные полюсы, так как компонента М, нормальная к стенке, теперь не является непрерывной. [25]

В реальном кристалле доменная стенка оказывается закрепленной и безотносительно к дискретности структуры кристалла. Она может закрепляться дефектами и не-однородностями кристалла, его границами. Взаимодействия, вызывающие закрепление стенки, могут иметь различную природу. Мы укажем здесь только одну из причин. [26]

А) образование доменной стенки становится энергетически невыгодным. В условиях однодоменной структуры перемагничи-вание тонкой пленки происходит в результате одного только процесса вращения. Высокое быстродействие тонкопленочных элементов связано с тем, что скорости поворота доменов значительно выше скорости переключения при перемещении стенок доменов. При определенных условиях пороговое значение поля для переключения за счет движения стенок в тонких пленках значительно больше, чем значение поля, требуемое для переключения за счет вращения. Именно в таких случаях преобладают более быстрые процессы вращения. [27]

Наиболее распространенным видом доменной стенки в реальных ЦМД-пластинах является доменная граница Блоха толщиной 6 Б [ см. (1.151) ], содержащая я участков по типу границ Нееля толщиной бн каждый. Из рис. 1.34, б, на котором представлена упрощенная модель поведения вектора намагниченности в центре стенки, видно, что намагниченность последовательно изменяет свое направление на отдельных участках стенки, причем граничные участки намагничены приблизительно по радиусу. Каждая вертикальная блоховская линия разделяет участки блоховской границы с правым и левым разворотом спинов в стенке. Толщина границы остается постоянной, кроме мест расположения ВБЛ, где она уменьшается. [28]

Найти поверхностное натяжение доменной стенки в одноосном кристалле, если переход между доменами осуществляется путем изменения величины вектора М без его поворота - направление М меняется на противоположное при прохождении М через нуль. [29]

Проблема нелинейной динамики доменных стенок - солитонов магнитных ( связанных состояний большого числа магнонов), 3) Развитие теории магнитных фазовых переходов между различными магн. [30]

Страницы: 1 2 3 4