Cтраница 2
По степени интеграции гибридные БИС превосходят монолитные схемы, так как последние сами являются элементами гибридных. [16]
Кроме степени интеграции, для характеристики интегральной схемы используют показатель плотности упаковки - количество элементов ( чаще всего транзисторов) на единицу площади. Этот показатель главным образом характеризует уровень технологии. [17]
Какая степень интеграции может иметь место в интегральных микросхемах. [18]
По степени интеграции гибридные БИС превосходят монолитные схемы, так как последние являются сами элементами гибридных БИС. [19]
По степени интеграции наиболее прогрессивными являются системы ДРЕЛОБА, ЦИКЛ, КОМПАС и 1000 фирмы ФЕСТО, построенные по - элементно-агрегатному прщщипу. Входящие в их состав субблоки обеспечивают удобство я быстроту проектирования систем управления, удобство их монтажа, обслуживания и ремонта, а также компактность. Недостатком системы ЛООО по сравнению с системами ДРЕЛОБА, ЦИКЛ и КОМПАС следует признать наличие трубных соединений между элементами внутри каждого субблока. Они, правда, дают некоторую неизбежную для элементно-агрегатного принципа построения избыточ - Чюсть по числу используемых элементов, однако этот недостаток окупается всеми остальными преимуществами элементно-агрегатного принципа построения пневматических систем релейной автоматики. [20]
Кроме степени интеграции функциональную сложность ИС характеризуют с помощью понятия большая интегральная схема ( БИС) - микросхема, которая содержит 500 и более электрорадиоэлементов при биполярной технологии и 1000 и более электрорадиоэлементов при МДП-технологии. [21]
Однако степень интеграции этих схем невелика, так как большие размеры транзистора и пассивных компонентов не позволяют пока получить более 50 Ч - 100 компонентов на одном кристалле. [22]
Та степень вертщсадьной интеграции, которая была у нас вчера, сегодня ужеустарела Н - этосжк ва Ддена Бриана, возглавлявшего корпораций на протяжении 23 лет. В США текстильная промышленность представлена рядом реально функцаонйрукШих об-ладающих высокой - степенью автоматизации ирош водетва фабрик-гигантов. Но, по мнению мдеджмен-та Sard Lee, оаи уже безнадежно устарели. [23]
При степени элементной интеграции в БИС порядка нескольких сотен или тысяч элементов на кристалле принятые в настоящее время приемы функционального разбиения систем на приборы, субсистемы и блоки, характер взаимодействия заказчиков и поставщиков комплектующих изделий, методы приемосдачи и контроля, формы координации разработок компонентов, приборов, устройств и систем оказываются неэффективными. [24]
Повышение степени интеграции и информационной емкости функциональных узлов для ЗУ и снижение потребляемой мощности связано с применением ЗЭ динамического типа на МДП-структурах. В динамических, или тактируемых, ЗЭ для хранения информации используется емкость. [25]
Повышение степени интеграции и расширение функциональных возможностей полупроводниковых ИМС позволяет создавать в едином технологическом цикле целые функциональные узлы радиоприемной аппаратуры. Так, ИМС К174ХА10 представляет собой многофукциональное устройство, предназначенное для построения однокристального супергетеродинного радиоприемника. Она обеспечивает усиление ВЧ -, ПЧ - и НЧ-сигналов, преобразование частоты, демодуляцию AM - и ЧМ-сигналов. ИМС двойного балансного перемножителя функции типа К174ПС1 предназначена для преобразования частоты диапазона УКВ. [26]
Увеличение степени интеграции ведет к повышению надежности ( за счет сокращения числа паяных и сварных соединений), быстродействия и снижению стоимости. Однако последний показатель тесно связан с совершенством технологии, так как с повышением степени интеграции при неизменном уровне технологии выход годных микросхем быстро падает. [27]
Увеличение степени интеграции связано с уменьшением размеров активных и пассивных элементов, совершенствованием технологии изготовления и обработки подложек больших размеров, использованием новых, более совершенных активных элементов, обладающих технологическими и функциональными преимуществами и повышенной надежностью, что может быть достигнуто только при комплексной интеграции. [28]
Рост степени интеграции в микроэлектронике обусловил переход от достаточно сложных, состоящих из нескольких монтажных плат, микропроцессорных систем управления приводами к малогабаритным высокопроизводительным системам на основе однокристальных микроконтроллеров. [29]
Повышение степени интеграции и снижение стоимости ( в пересчете на один вентиль) электронных схем сделали возможным практическое использование для контроля некоторых узлов, например сумматоров, самопроверяемого дублирования их схем, при котором ошибки обнаруживаются по несовпадению сигналов на выходах дублированных схем. Этим способом обнаруживают ошибки любой кратности. [30]