Степень - интеграция
Cтраница 4
Увеличение степени интеграции изделий микроэлектроники обусловливает необходимость повышения их надежности, что неразрывно связано с совершенствованием методов производственного контроля интегральных схем. Достигнутый уровень развития технологии, высокая интеграция и надежность ИС и БИС на основе кремния указывают на то, что в качестве основного материала для изготовления интегральных схем на ближайшие 10 - 15 лет останется кремний. [46]
 |
Профили осаждаемого металла в зависимости от клина проявления фоторезиста. / - пленка фоторезиста. 2 - формируемый элемент. [47] |
Повышение степени интеграции гибридных схем может быть достигнуто использованием в схемах многоуровневых межсоединений. Частным случаем таких схем являются пассивные схемы с расположением проводников на обеих сторонах подложки и соединением их через отверстие в подложке. Этот вариант также реализуется с применением комбинированных процессов фотолитографии и гальванического осаждения проводящих слоев с применением маски фоторезиста. [48]
Увеличение степени интеграции электронных элементов в ИО вызывает ряд проблем, решение которых усложняет проектирование БИС. Рассмотрим некоторые из них. [49]
К какой степени интеграции относятся ИМС, содержащие 500 логических элементов. [50]
Страницы: 1 2 3 4