Степень - интеграция
Cтраница 3
Увеличение степени интеграции и компактности оборудования машины достигнуто конструкторскими решениями, основанными на использовании теплопроводящих модулей ( ТСМ), содержащих до 100 БИС. [31]
Повышение степени интеграции уменьшает универсальность схем. Если как единое целое делается регистр, счетчик или сумматор, то уже нельзя обойтись схемой одного типа и приходится расширять номенклатуру изготавливаемых БИС. Данное обстоятельство лишает БИС универсальности и создает проблему их индивидуализации. [32]
 |
Транспьютерная микросистема. [33] |
Повышение степени интеграции размещением микросистем ЭВМ на одной полупроводниковой пластине вызвало необходимость поиска новых конструктивных основ, чтобы не утратить достигнутый уровень интеграции из-за использования тривиальных методов соединений и стыковки одной такой пластины с другими. [34]
Повышение степени интеграции в большинстве случаев приводит к увеличению сложности функций, выполняемых микросхемой. С одной стороны, это положительный фактор, так как при использовании б олее сложных микросхем упрощается проектирование и изготовление аппаратуры. В то же время стоимость ремонта может существенно возрасти. Последнее не относится к программно-управляемым микросхемам, для которых повышение степени интеграции не уменьшает универсальности. [35]
Повышение степени интеграции в микросхемах зависит от нескольких факторов: возможности уменьшения геометрических размеров элементов микросхем; типов активных элементов в микросхеме; возможности увеличения размеров кристалла интегральной микросхемы и других факторов, в том числе и схемотехнических. [36]
Рост степени интеграции гибридно-пленочных ИМС существенно сдерживается трудностями присоединения бескорпусных активных приборов. Дело осложняется не только возрастающей трудоемкостью изготавливаемых микросхем, но и увеличивающейся вероятностью ошибок операторов при монтаже бескорпусных приборов в сложных гибридных микросхемах. В то же время большинство простейших цифровых и аналоговых схем успешно выполняется в виде полупроводниковых микросхем. [37]
Повышение степени интеграции микросхем и связанное с этим уменьшение размеров элементов имеет определенные пределы. [38]
Повышение степени интеграции микросхем и связанное с этим уменьшение размеров элементов имеют определенные пределы. Интеграция свыше нескольких десятков тысяч элементов оказывается экономически нецелесообразной и технологически трудно выполнимой. Поэтому весьма перспективным направлением дальнейшего развития электронной техники является функциональная микроэлектроника, позволяющая реализовать определенную функцию аппаратуры без применения стандартных базовых элементов. [39]
Повышение степени интеграции микросхем и связанное с этим уменьшение размеров элементов имеет определенные пределы. Интеграция свыше нескольких десятков тысяч элементов на одном кристалле оказывается экономически нецелесообразной и технологически трудно выполнимой. Сложными становятся проблемы топологии и теплоотвода. [40]
Связь степени интеграции ИС с надежностью МЭА является наименее исследованной областью. Микроэлектронная аппаратура, реализованная на БИС, имеет значительно меньшее число внешних связей, паяных соединений и меньшую длину проводников по сравнению с МЭА на ИС малой и средней степеней интеграции. Очевидно также, количество отказов, связанных с проводниками и паяными контактами, уменьшается. Уменьшается и число отказов, определяемых количеством сварных соединений кристаллов ИС с выводами корпусов. Что касается надежности каждой отдельной БИС, то исходя из самых общих соображений можно предположить, что эта надежность будет ниже, чем у ИС с малой степенью интеграции. И она прослеживается для технологически однотипных БИС и ИС, если их проекты выполнены одновременно и они изготовляются на одном и том же технологическом оборудовании. Без соблюдения указанных условий эта связь не обнаруживается. Наоборот, несмотря на рост степени интеграции ИС, групповая технология и ряд других причин делают надежность БИС сравнимой с надежностью ИС меньших уровней интеграции. Во-первых, проекты большинства БИС выполнены позднее, чем проекты схем малой степени интеграции. [41]
Увеличение степени интеграции ИМС до 105 - 10& элементов на кристалл, повышение их быстродействия до I - 8 - 10 - 9 с, увеличение до нескольких десятков и даже сотен числа внешних выводов поставило перед конструкторами микроэлектронной аппаратуры задачу обеспечения очень плотной упаковки кристаллов полупроводниковых СБИС, в которой для уменьшения времени задержки сигнала кристаллы следует располагать как можно ближе друг к другу. [42]
Увеличение степени интеграции БИС с фиксированными соединениями базовых элементов делает БИС специальной, пригодной для определенной разрабатываемой системы. [43]
Повышение степени интеграции современных микросхем приводит к резкому увеличению сложности и трудоемкости их проектирования. При таких условиях значение автоматизации проектирования ( или машинного проектирования) ИМС и особенно БИС с помощью ЭВМ существенно возрастает. Если говорить об идеальной системе машинного проектирования топологии БИС, то подразумевается, что она должна выдавать конструкторскую документацию и перфоленты или магнитные ленты, с помощью которых осуществляется управление процессом производства фотошаблонов при подаче на ее вход информации об электрической схеме проектируемой БИС. Достигнутый уровень развития систем машинного проектирования топологии БИС, к сожалению, еще далек от идеального, если не считать некоторых систем с очень узкой специализацией. Тем не менее машинное проектирование, будучи надежным вспомогательным средством для конструктора микросхем, уже сейчас вносит большой вклад в сокращение времени и стоимости разработки БИС, освобождая инженера от выполнения большого объема сложных расчетов и других рутинных работ, связанных с проектированием БИС. Следует особо подчеркнуть, что для сохранения высокой эффективности в проектировании, сложность которого прогрессивно возрастает, развитие методов и средств самого машинного проектирования БИС должно происходить еще более быстрыми темпами. [44]
Страницы: 1 2 3 4