Степень - перекрывание - электронное облако
Cтраница 2
 |
Схема различных случаев перекрывания электронных облаков. [16] |
При оценке степени перекрывания электронных облаков следует учитывать знаки волновых функций электронов. Поскольку электронам присущи волновые свойства, то при взаимодействии двух электронов образуется общая электронная волна. Там, где амплитуды исходных волн имеют одинаковые знаки, при их сложении возникает суммарная волна с амплитудой, имеющей большее абсолютное значение, чем исходные амплитуды. Поэтому в тех областях пространства, где волновые функции взаимодействующих электронов имеют одинаковые знаки, абсолютное значение волновой функции образующегося общего электронного облака будет больше, чем значения функции ф у изолированных атомов. Здесь происходит положительное перекрывание электронных облаков, которое приводит к взаимному притяжению ядер. В тех же областях пространства, где знаки волновых функций взаимодействующих электронов противоположны, абсолютное значение суммарной волновой функции будет меньше, чем у изолированных атомов. [17]
При оценке степени перекрывания электронных облаков следует учитывать знаки волновых функций электронов. Поскольку электронам присуши волновые свойства, то при взаимодействии двух электронов образуется общая электронная волна. Там, где амплитуды исходных волн имеют одинаковые знаки, при их сложении возникает суммарная волна с амплитудой, имеющей большее абсолютное значение, чем исходные амплитуды. Напротив, там, где амплитуды исходных волн имеют различные знаки, при их сложении возникает суммарная волна с амплитудой, имеющей меньшее абсолютное значение, - волны будут гасить друг друга. Но, как уже указывалось, роль амплитуды электронной волны играет волновая функция - атомная орбиталь. Поэтому в тех областях пространства, где АО взаимодействующих электронов имеют одинаковые знаки, абсолютное значение волновой функции образующегося общего электронного облака будет больше, чем значения АО у изолированных атомов. [18]
При оценке степени перекрывания электронных облаков следует учитывать внаки волновых функций электронов. Поскольку электронам присущи волновые Свойства, то при взаимодействии двух электронов образуется общая электрон-рая волна. Там, где амплитуды исходных волн имеют одинаковые знаки, при fix сложении возникает суммарная волна с амплитудой, имеющей большее абсолютное значение, чем исходные амплитуды. [19]
 |
Схема различных случаев перекрывания электронных облаков. а и б - положительное перекрывание. в - отрицательное перекрывание. г-суммарное перекрывание, равное нулю. [20] |
При оценке степени перекрывания электронных облаков следует учитывать знаки волновых функций электронов. Поскольку электронам присущи волновые свойства, то при взаимодействии двух электронов образуется общая электронная волна. Там, где амплитуды исходных волн имеют одинаковые знаки, при их сложении возникает суммарная волна с амплитудой, имеющей большее абсолютное значение, чем исходные амплитуды. [21]
При оценке степени перекрывания электронных облаков следует учитывать знаки волновых функций электронов. Поскольку электронам присущи волновые свойства, то при взаимодействии двух электронов образуется общая электронная волна. Там, где амплитуды исходных волн имеют одинаковые знаки, при их сложении возникает суммарная волна с амплитудой, имеющей большее абсолютное значение, чем исходные амплитуды. Напротив, там, где амплитуды исходных волн имеют различные знаки, при их сложении возникает суммарная волна с амплитудой, имеющей меньшее абсолютное значение, - волны будут гасить друг друга. Поэтому в тех областях пространства, где волновые функции взаимодействующих электронов имеют одинаковые знаки, абсолютное значение волновой функции образующегося общего электронного облака будет больше, чем значения функции ty у изолированных атомов. Здесь происходит положительное перекрывание электронных облаков, которое приводит к взаимному притяжению ядер. [22]
 |
Схема различных случаев перекрывания электронных облаков. а я б - положительное перекрывание. в - отрицательное перекрывание. г - суммарное перекрывание, равное нулю. [23] |
При оценке степени перекрывания электронных облаков следует учитывать знаки волновых функций электронов. Поскольку электронам присущи волновые свойства, то при взаимодействии двух электронов образуется общая электронная волна. Там, где амплитуды исходных волн имеют одинаковые знаки, при их сложении возникает суммарная волна с амплитудой, имеющей большее абсолютное значение, чем исходные амплитуды. Напротив, там, где амплитуды исходных волн имеют различные знаки, при их сложении возникает суммарная волна с амплитудой, имеющей меньшее абсолютное значение, - волны будут гасить друг друга. Поэтому в тех областях пространства, где волновые функции взаимодействующих электронов имеют одинаковые знаки, абсолютное значение волновой функции образующегося общего электронного облака будет больше, чем значения функции г 5 у изолированных атомов. Здесь происходит положительное перекрывание электронных облаков, которое приводит к взаимному притяжению ядер. В тех ж областях пространства, где знаки волновых функций взаимодействующих электронов противоположны, абсолютное значение суммарной волновой функции будет меньше, чем у изолированных атомов. Здесь величина ty2, а значит и плотность электронного облака, будет уменьшаться. В этом случае имеет место отрицательное перекрывание, приводящее к взаимному отталкиванию ядер. [24]
 |
Плотность электронного облака при а - антипараллельных и б - параллельных спинах электронов. [25] |
Различие состоит лишь в степени перекрывания электронных облаков, уменьшающейся с возрастанием главного квантового числа, а потому энергия связи в молекуле Na2 невысока и составляет всего 0 76 эв. [26]
Проанализировать, как зависит энергия химической связи от ее длины; кратности; степени перекрывания электронных облаков; разности электроотрицательности атомов; степени ионности связи; количества электронов на связывающих и разрыхляющих молекулярных орбиталях. [27]
Он вносит основной вклад в энергию химической связи. Интеграл У3 определяет степень перекрывания электронных облаков атомов вследствие притяжения каждого из электронов к обоим ядрам. Числовое значение J3 изменяется от 1 при R - 0 до 0 при R оо. [28]
 |
Некоторые свойства галегеноводородов. [29] |
Связь здесь ослабляется по тем же причинам, которые были рассмотрены при сопоставлении прочности молекул свободных галогенов ( стр. Как показывает схема ( рис. 107), при переходе, например от HF к HI уменьшается степень перекрывания электронных облаков атомов водорода и галогена, а область перекрывания располагается на большем расстоянии от ядра атома галогена и сильнее экранируется возросшим числом промежуточных электронных слоев. Кроме того, в ряду F - С1 - Вг-I электроотрн-цателыюсть атома галогена уменьшается. [30]
Страницы: 1 2 3 4