Cтраница 4
Прочность химической связи в молекулах галогеноводородов закономерно падает в ряду HF-НС. Связь здесь ослабляется по тем же причинам, которые были рассмотрены при сопоставлении прочности молекул свободных галогенов ( стр. Как показывает схема ( рис. 107), при переходе, например от HF к III уменьшается степень перекрывания электронных облаков атомов водорода и галогена, а область перекрывания располагается на большем расстоянии от ядра атома галогена и сильнее экранируется возросшим числом промежуточных электронных слоев. Дроме тою, в ряду F - С1 - Вг-I электрсотри-цательность атома галогена уменьшается. [46]
В ряду элементов VIIA-группы наблюдается более или менее закономерное изменение физических и физико-химических характеристик атомов, ионов и гомоатомных соединений. От фтора к иоду возрастают температуры плавления, и кипения, энтальпии этих процессов, а также плотность. С ростом числа электронных слоев увеличиваются размеры атомов и молекул; следовательно, усиливаются дисперсионные силы межмолекулярного притяжения, что ведет к возрастанию указанных характеристик. Прочность молекул от хлора к иоду уменьшается в соответствии с ростом межъядерных расстояний, степень перекрывания электронных облаков падает. Все это приводит к тому, что от хлора к иоду возрастает константа термической диссоциации молекул галогенов на атомы. [47]
В ряду элементов VHA-группы наблюдается более или менее закономерное изменение физических и физико-химических характеристик атомов, ионов и гомоатомных соединений. От фтора к иоду возрастают температуры плавления, и кипения, энтальпии этих процессов, а также плотность. С ростом числа электронных слоев увеличиваются размеры атомов и молекул; следовательно, усиливаются дисперсионные си ы межмолекулярного притяжения, что ведет к возрастанию указанных характеристик. Прочность молекул от хлора к иоду уменьшается в соответствии с ростом межъядерных расстояний, степень перекрывания электронных облаков падает. Все это приводит к тому, что от хлора к иоду возрастает константа термической диссоциации молекул галогенов на атомы. [48]
Освобождающиеся электронные орбитали участвуют в образовании о-связей с лигандами. Как видно из табл. 15, при образовании ок-таэдрических комплексов гибридизация может осуществляться либо с использованием внутренних ( п - 1) с. В табл. 15 собственные электронные пары комплексообразователя изображены стрелками, а электронные пары лигандов, ответственные за донорно-акцептор-ные а-связи, представлены пунктирными стрелками. Степень перекрывания электронных облаков при этом меньше, и связь лигандов с комплексообразовате-лем слабее, чем при внутренней гибридизации. Поэтому в комплексе [ CoFe ] 3 - замещение ионов фтора идет легко и он более реакци-онноспособен, чем [ Со ( МН3) б ] 3, в котором гибридизация внутренняя. [49]