Стирание - информация
Cтраница 1
Стирание информации в СППЗУ осуществляется или путем засветки ячеек памяти излучением через специальные окна на поверхности микросхемы. [1]
Стирание информации у ИС серии К573 осуществляется воздействием на входное окно корпуса микросхемы ультрафиолетового ното-ка изучения ( Л253 7 нм), направленного перпендикулярно плоскости входного окна корпуса микросхемы, с целью стирания ранее записанной информации. [2]
Стирание информации осуществляется облучением ультрафиолетовыми лучами плавающего затвора транзистора. [3]
 |
Элемент памяти ППЗУ.| Условное обозначе - Режим стирания и н ф о р. [4] |
Стирание информации в одних микросхемах производится путем подачи соответствующих напряжений, в других - путем подачи ультрафиолетового излучения через прозрачную кварцевую крышку в корпусе микросхемы. Под действием напряжений либо светового излучения, действующего в течение примерно 10 мин, снимается заряд с затворов транзисторов и все транзисторы накопителя оказываются установленными в непроводящее состояние. Обычное комнатное освещение практически не оказывает влияния на состояние транзисторов. [5]
Стирание информации у ПС серии К573 осуществляется воздействием на входное окно корпуса микросхемы ультрафиолетового потока излучения ( Я 253 7 им), направленного перпендикулярно плоскости входного окна корпуса микросхемы, с целью стирания ранее записанной информации. [6]
Стирание информации в РПЗУ такого типа производится ультрафиолетовым облучением кристалла микросхемы через окно в крышке корпуса. [7]
Стирание информации, записанной по двум уровним, производится постоянным магнитным полем, создаваемым стирающей магнитной головкой, обмотка которой питается постоянным током. [8]
 |
Кольцевая магнитная головка ( о и временная диаграмма процесса записи и воспроизведения информации кольцевой головкой ( б. [9] |
Стирание информации на магнитной ленте производится с помощью стирающих головок. При создании переменного поля в рабочем зазоре этих головок магнитный носитель размагничивается. При постоянном же поле носитель намагничивается в одном определенном направлении. [10]
Стирание информации в ПЗУ с ультрафиолетовым ( УФ) раз1 рушением накопленного заряда производится воздействием в течение 30 мин потока УФ-излучения ( длина волны Я400нм), направленного перпендикулярно плоскости входного окна корпуса микросхемы. При этом должны соблюдаться следующие условия: энергетическая освещенность УФ-излучения ЕЭЮО Вт / м2, интегральная доза облучения 10Вт - с / см2, температура корпуса микросхемы не более 70 С. [11]
 |
Временные диаграммы работы микро - ЭВМ в режиме с внешней памятью данных при чтении ( а и записи ( б информации.| Схема реализации шагового режима ( u n временная диаграмма работы ( б. [12] |
Стирание информации, записанной н памяти ППЗУ, осуществляется с помощью ультрафиолетовых лучей через крышку с кварцевым окошком. Длина волны ультрафиолетовых лучей должна составлять около 2537 им. [13]
Стирание информации в ПЗУ с ультрафиолетовым ( УФ) раз1 рушением накопленного заряда производится воздействием в течение 30 мин потока УФ-излучения ( длина волны Я400нм), направленного перпендикулярно плоскости входного окна корпуса микросхемы. При этом должны соблюдаться следующие условия: энергетическая освещенность УФ-излучения ЕЭЮО Вт / м2, интегральная доза облучения 10Вт - с / см2, температура корпуса микросхемы не более 70 С. [14]
Стирание информации производится путем подачи высокого напряжения между истоком и управляющим затвором. При этом в диэлектрик инжектируются дырки, которые достигают плавающего затвора и рекомбинируют там с электронами, накопленными в режиме записи. [15]
Страницы: 1 2 3 4