Стирание - информация
Cтраница 3
ПЗУ с электрическим стиранием информации, выполненные без применения МНОП-структур. [31]
Перед записью производится стирание информации воздействием ультрафиолетового света через окно в корпусе микросхемы на полупроводниковый кристалл ПЗУ. Под воздействием света заряды стекают с затворов. [32]
Перед записью производится стирание информации воздействием ультрафиолетового света на полупроводниковый кристалл ПЗУ. Под воздействием света заряды стекают с затворов. [33]
При этом происходит стирание информации, и для восстановления ее нужно использовать импульсы считывания, подобно тому, как это рассматривалось ранее в схеме ЗУ на осциллографических трубках с поверхностным перераспределением зарядов. [34]
АП предусматриваются: стирание информации в любом месте экрана дисплея, сдвиги информации на экране дисплея, запись информации на любое место экрана, выделение и работа с отдельными полями данных. [35]
В этом случае предварительное стирание информации производится постоянным полем с напряженностью Ястир и к записывающей головке подходит носитель, предварительно намагниченный до насыщения в отрицательном направлении. [36]
В этом случае предварительное стирание информации производится постоянным полем с напряженностью Ястпр и к записывающей головке подходит носитель, предварительно намагниченный до насыщения в отрицательном направлении. [37]
Длительность записи и стирания голографической информации в оперативных устройствах должна соответствовать скорости работы управляемого транспаранта, модулятора и дефлектора света. Это время не должно превышать 10 6 с. [38]
Как различаются времена стирания информации в элементах памяти на рис. 9.13 и 9.16 при одинаковой толщине диэлектрического слоя между плавающим затвором и шиной стирания. [39]
В ряде устройств стирания информации перед записью новой не требуется. [40]
Выключение функции команды стирания информации регистра MR выполняет команда Останов вывода. [41]
Запись, считывание и стирание информации на ленте осуществляются в соответствии со стандартом ИСО3407 - 76, что обеспечивает полную совместимость по информации с устройствами, имеющими такой же формат записи. [42]
 |
ППЗУ с пережигаемыми перемычками. [43] |
Построение ПЗУ с возможностью стирания информации в значительной степени аналогично организации ПЗУ с масочным программированием. Его основу составляет такая же матрица МОП-транзисторов, какая показана на рис. 11.11. Однако между СППЗУ и ПЗУ имеется ряд различий. Во-первых, затворы всех транзисторов в СППЗУ соединены с горизонтальными строками. Во-вторых, конструкция транзистора предусматривает возможность подачи на его затвор высокого напряжения. Если такое напряжение подано, то транзистор сохраняет высокое сопротивление. В-третьих, транзистор может быть выведен из этого состояния путем воздействия на него интенсивного ультрафиолетового излучения. [44]
Какие два способа используются для стирания информации в ППЗУ. [45]
Страницы: 1 2 3 4