Стирание - информация
Cтраница 2
Стирание информации достигается также оптическим путем. Различная чувствительность ниобата лития с примесью железа к записи и стиранию голограмм, наблюдавшаяся в работе [4.67], связана с соотношением донорных и акцепторных центров, возникающим при росте монокристаллов. [16]
Стирание информации осуществляется с помошыо расфокусированного потока электронов от второго электронного источника ( прожектора), который, так же как и первый, отнесен от оптической оси. При достаточном ускоряющем потенциале ( 500 - 2000 В) передняя поверхность кристалла за счет вторичной электронной эмиссии заряжается положительно до потенциала кольцевого коллектора, расположенного вблизи этой поверхности. Время стирания составляет около 1 мс. [17]
Стирание информации производится разрушением заряда за время, несколько большее времени записп изображения - от единиц до сотен миллисекунд. Линейная моду-лятшя обеспечивается при деформации пленки до величины 0 06 - 0 1А, с дифракционно эффективностью около 1 %, причем необходимы усилия для достижения высокой ПЛОСКОСТРЮСТИ плепкц или однородности тока электронного пучка. [18]
Стирание информации обычно производится приложением потенциала, обеспечивающего появление на рабочей поверхности пластины электрооптического кристалла ( на диэлектрическом зеркале) вторичных электронов, увлекаемых сеткой. Тогда оставшиеся положительные заряды компенсируют записанный электронный образ. [19]
 |
Структура МДП-транзистора с плавающим затвором и лавинным размножением электронов.| Структура МДП-транзистора с плавающим затвором и канальной ин-жекцией. [20] |
Стирание информации, т.е. удаление электронов из плавающего затвора, производят путем облучения диэлектрика ультрафиолетовым светом. [21]
 |
Структурная схема ПЗУ с электрическим программированием. [22] |
Для стирания информации в таких приборах пользуются облучением кристалла через специальное прозрачное окно в корпусе микросхемы ультрафиолетовым светом. Облучение ультрафиолетовыми лучами приводит к резкому увеличению тока утечки, что способствует рассасыванию носителей заряда. [23]
Для стирания информации БИС подвергают воздействию ультрафиолетового излучения, которое ионизируют изолирующую прослойку, что вызывает стекание заряда с затвора. Поскольку процедуры стирания информации вызывают старение изолирующей прослойки, число записей в репрограммируемое ПЗУ ограничено. Существуют репрограммируемые ПЗУ и с электрическим способом стирания информации. [24]
Команда стирания информации регистра MR программируется перед шагом начала стирания цифровой информации и знака числа. [25]
При стирании информации размагничивание носителя информации производится переменным магнитным полем, которое создается переменным током высокой частоты, протекающим через обмотку стирающей головки. [26]
Во время стирания информации температура корпуса не должна превышать 70 С. [27]
 |
Структурная схема буферного накопителя. [28] |
Для предотвращения стирания информации из куба считанный знак через блок переключений вновь поступает в регистр записи и регенерируется. [29]
Считывание сопровождается стиранием информации, записанной в сердечнике. Поэтому при необходимости сохранения ранее хранившейся информации должна производиться регенерация, восстанавливающая информацию в сердечнике. [30]
Страницы: 1 2 3 4