Изменение - параметр - транзистор
Cтраница 1
Изменение параметров транзистора и уход рабочей точки, связанный с изменением температуры, может привести к крайне нестабильной работе схемы. [1]
Изменение параметров транзистора с течением времени значительно меньше возможного технологического разброса и не превышает временного ухода параметров электронной лампы. [2]
Изменение параметров транзистора или режима может привести, в частности, к появлению или увеличению выброса. [3]
Влияние изменений параметров транзистора на частоту уменьшают, включая резисторы в цепь коллектора и эмиттера. Для повышения стабильности частоты автогенераторы питают через стабилизаторы напряжения. [4]
Нестабильность из-за изменения параметров транзистора резко уменьшена тем, что зарядные токи конденсаторов С, Cz не связаны с входной или выходной цепью транзистора. [5]
Эти характеристики обычно показывают изменение параметров транзистора при изменении температуры, напряжения и тока. [6]
Тк макс, при к-рой изменение параметров транзистора не превышает установл. [7]
Тк акс, при к-рой изменение параметров транзистора не превышает установл. Величина Гкмакс устанавливается существенно ниже темп-ры плавления коллекторного сплава и проверяется длительными испытаниями транзистора на надежность. [8]
Основной причиной дрейфа выходного тока является изменение параметров транзистора с температурой. Кроме того, на положение рабочей точки могут сказываться колебания напряжения источников питания и хаотическая ползучесть параметров транзистора. Однако температурный дрейф является наибольшим, поэтому при проектировании схемы температурный дрейф должен учитываться в первую очередь. [9]
 |
Блок-схемы усилителей с автоматической коррекцией дрейфа. [10] |
При колебаниях температуры баланс моста нарушается вследствие изменения параметров транзистора. Поэтому наблюдается дрейф нуля такого модулятора, обусловленный колебаниями температуры. При подборе транзистора с одинаковой структурой коллекторного и эмит-терного р-л-переходов дрейф нуля такого модулятора может быть уменьшен до величины порядка десятков микровольт в диапазоне изменения температуры от 0 до 70 С. [11]
 |
Обобщенная зависимость интенсивности отказов транзисторов от нормализованной температуры при различных отношениях рабочей мощности рассеяния к максимально допустимой мощности на коллекторе. [12] |
Одной из причин изменения состояния поверхности, вызывающей изменения параметров транзисторов, является наличие следов влаги в баллоне. Особенно сильно это сказывается на параметрах сплавных транзисторов. Стабильность параметров существенно улучшается, когда в корпусе помещается влагопоглотитель ( цеолит), но даже такая мера иногда может быть недостаточно эффективной, если прибор подвергается циклическим изменениям температуры. При этом происходит перераспределение влаги между влагопоглотителем и поверхностью полупроводника, что достаточно для изменения параметров транзистора. [13]
Одной из причин изменения состояния поверхности, вызывающей изменения параметров транзисторов, является наличие следов влаги в баллоне. Особенно сильно это сказывается на параметрах сплавных транзисторов. Стабильность параметров существенно, улучшается, когда в корпусе помещается влагопоглотитель ( цеолит), но даже такая мера иногда может быть недостаточно эффективной, если прибор подвергается циклическим изменениям температуры. При этом происходит перераспределение влаги между вла-гопоглотителем и поверхностью полупроводника, что достаточно для изменения параметров транзистора. [14]
 |
Обобщенная зависимость интенсивности отказов транзисторов от нормализованной температуры при различных отношениях рабочей мощности рассеяния к максимально допустимой мощности на коллекторе. [15] |
Страницы: 1 2 3 4