Изменение - параметр - транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
В какой еще стране спирт хранится в бронированных сейфах, а "ядерная кнопка" - в пластмассовом чемоданчике. Законы Мерфи (еще...)

Изменение - параметр - транзистор

Cтраница 3


31 Схемы включения транзисторов. [31]

Схема с общей базой дает наиболее стабильное усиление по мощности, мало зависящее от изменений параметров транзистора и их разброса от экземпляра к экземпляру.  [32]

33 Способы включения напряжений на базу биполярного транзистора. [33]

Схема рис. 6.4 6 практически не обеспечивает постоянства положения СРТ, так как с изменением параметров транзистора меняется ток базы, а следовательно, и напряжение база - эмиттер.  [34]

35 Эквивалентная схема в режиме IV.| Эквивалентная схема в режиме V. [35]

Режимы / / и IV являются запасными, обеспечивающими правильную работу схемы при - изменении параметров транзисторов.  [36]

Максимально допустимый ток коллектора / к шах - наибольший постоянный ток коллектора, при котором изменения параметров транзисторов не превышают установленных норм. Превышение / к max приводит к пробою переходов, сгоранию внутренних соединительных проводников и выходу прибора из строя. Надежность работы транзисторов резко увеличивается при снижении рабочих токов ниже предельных значений. Рабочие токи транзистора ( в том числе и импульсные) рекомендуется ограничивать значением, не превышающим 0 7 максимального значения.  [37]

Более целесообразно применять схемы, обладающие повышенной устойчивостью в диапазоне температур и во времени к изменению параметров транзисторов, а также температурной стабилизацией и отрицательной обратной связью.  [38]

39 Возможные изменения параметров Л219.| Схема питания транзистора при помощи двух источников.| Простейшая схема питания транзистора от одного источника. [39]

Температурная нестабильность заключается в очень медленном, заметном лишь при наблюдении в течение многих часов изменении параметров транзистора после резкой смены температуры.  [40]

Следует отметить также, что на нестабильность генерируемой частоты, вызванную изменением температуры, сильно влияют изменения параметров транзисторов. Нестабильность частоты автогенераторов оценивают коэффициентом относительной нестабильности Д / / 7о, где / о - рабочая ( номинальная) частота автогенератора; А / - отклонение частоты от рабочей.  [41]

42 Схемы температурной стабилизации одного транзистора. а - с отрицательной обратной связью по току. б - с отрицательной обратной связью по напряжению. в - с отрицательной обратной связью по току и напряжению. г - при питании от двух источников. [42]

При этом стремятся сделать характер сдвига рабочей точки таким, при котором обеспечивается наиболее эффективная компенсация изменения параметров транзистора.  [43]

Глубокая отрицательная обратная связь по переменному току обеспечивает стабильность фазы и коэффициента усиления четвертого каскада при изменении параметров транзистора и трансформатора. Фазовый сдвиг, вносимый пятым ( выходным каскадом), не существен, так как транзистор открывается лишь в определенный полупериод сигнала, поступающего с четвертого каскада.  [44]

Поскольку выражение (9.22) инвариантно относительно частных отклонений, то оно полностью характеризует нестабильность коллекторного тока с учетом изменений параметров транзистора и особенностей схемы. Если известен закон изменения одного или нескольких параметров транзистора от температуры или во времени, то не представляет затруднений найти температурную или временную составляющие дрейфа. Если же известен технологический разброс параметров для данного типа или группы транзисторов, то легко определить границы отклонений, в пределах которых сохраняется работоспособность каскада в целом.  [45]



Страницы:      1    2    3    4