Изменение - параметр - транзистор
Cтраница 2
Одной из причин изменения состояния поверхности, вызывающей изменения параметров транзисторов, является наличие следов влаги в баллоне. Особенно сильно это сказывается на параметрах сплавных транзисторов. Стабильность параметров существенно улучшается, когда в корпусе помещается влагопоглотитель ( цеолит), но даже такая мера иногда может быть недостаточно эффективной, если прибор подвергается циклическим изменениям температуры. При этом происходит перераспределение влаги между влагопогло-тителем и поверхностью полупроводника, что достаточно для изменения параметров транзистора. [16]
Из выражения ( 16) видно, что изменение параметров транзисторов каждого каскада определенным образом влияет на общее изменение коэффициента усиления усилителя. Это влияние определяется величиной коэффициентов при вариациях параметров транзисторов. Чем больше коэффициент при определенной вариации параметра, тем большую нестабильность вносит изменение этого параметра. [17]
 |
Обобщенная зависимость интенсивности отказов транзисторов от нормализованной температуры при различных отношениях рабочей мощности рассеяния к максимально допустимой мощности на коллекторе. [18] |
Одной из причин изменения состояния поверхности, вызывающей изменения параметров транзисторов, является наличие следов влаги в баллоне. Особенно сильно это сказывается на параметрах сплавных транзисторов. Стабильность параметров существенно улучшается, когда в корпусе помещается влагопоглотитель ( цеолит), но даже такая мера иногда может быть недостаточно эффективной, если прибор подвергается циклическим изменениям температуры. При этом происходит перераспределение влаги между влагопоглотителем и поверхностью полупроводника, что достаточно для изменения параметров транзистора. [19]
Численные значения коэффициента а ( X), характеризующие изменение параметров транзисторов П41, приведены в габл. [20]
 |
Схема УПТ с компенсацией дрейфа при помощи диода. [21] |
Применение нелинейных элементов в схемах УПТ заключается в компенсации изменений параметров транзисторов специально подобранными элементами. [22]
 |
Двухкаскадный транзисторный. усилитель постоянного тока с температурной компенсацией дрейфа. [23] |
В транзисторных усилителях постоянного тока дрейф нуля вызывается также изменением параметров транзисторов с изменением температуры. [24]
Если каскады работают в перенапряженном режиме, то при изменении параметров транзисторов выходная мощность практически не изменяется, так как напряжение на коллекторе выходного каскада определяется величиной напряжения коллекторного питания Ек. Достаточно лишь иметь запас в величине возбуждения, чтобы при всех изменениях параметров транзисторов режим оконечного каскада оставался перенапряженным. [25]
Обратная связь обычно используется в транзисторном усилителе для ослабления влияния изменения параметров транзистора на коэффициент усиления, для уменьшения нелинейных искажений и для улучшения частотной характеристики усилителя. [26]
Дрейф в параллельно балансном каскаде не устраняется полностью из-за различия в изменениях параметров транзисторов - сопротивлений схемы. [27]
После того, как схема сконструирована, причиной нарушения работоспособности могут быть изменения параметров транзистора. [28]
При построении многокаскадного усилителя встает важная проблема обеспечения стабильности его работы при изменении параметров транзисторов. Такие изменения возможны при изменении температуры или из-за технологического разброса параметров. В линейке многокаскадного усилителя эти изменения могут накапливаться, в результате чего усилитель может оказаться неработоспособным. [29]
Нелинейность выходного напряжения при прямом ходе возникает из-за уменьшения тока заряда конденсатора и изменения параметров транзистора ( а, гк, С, / кГ) с изменением режима. [30]
Страницы: 1 2 3 4