Cтраница 4
Влияние является электронным эффектом и связано с изменением электронной плотности. [46]
Полагают, что изменение константы экранирования лета-соединения отражает изменение электронной плотности в системе 0-связей комплексов, которое вызывается а-донорными свойствами тракс-лиганда X. Чем более положительно значение константы, тем сильнее а-донорные свойства X. С другой стороны, изменения в системе Pt - Хя должны влиять и на константу экранирования в тгара-соединениях. Разность в константах экранирования пара - и лета-соединений является таким образом мерой я-акцепторного характера лиганда X. Ниже приведен порядок расположения лигандов. [47]
Анализ полученных расчетных данных позволяет констатировать, что изменение электронной плотности при введении заместителей различной природы наблюдается лишь в области их непосредственного окружения, и эффект заместителя передается не более чем на 3 - 4 соседние с ним химические связи. [48]
Изменение электронного сродства атома г производит такое же изменение электронной плотности у атома s, как подобное же изменение сродства у s подействовало бы на электронную плотность-у атома г [ 135, стр. [49]
Изменение константы диссоциации при смене заместителя X определяется изменением электронной плотности на атоме углерода карбоксильной группы. [50]
Гранс-влияние является электронным эффектом и свя зано с изменением электронной плотности. [51]
Первоначально считалось, что соотношения Гаммета и Тафта характеризуют изменения электронной плотности на атоме углерода, непосредственно связанного с реакционным центром молекулы. Дальнейшие исследования показали, что эффекты заместителей при гетероатомах в молекулах типа Н Х, где X - N, О, S, Se и др., также могут быть охарактеризованы с помощью постоянных ст и а [52]; это позволяет оценивать влияние радикалов на донорные свойства гетероатома в соединениях типа простых эфиров, сульфидов, аминов. [52]
Если поле слабо ( еф Ге), то изменение электронной плотности ( ср. [53]