Влияние - емкость
Cтраница 2
Влияние емкости Сск и в особенности проходной емкости Сса сказывается в появлении в области высоких частот емкостных составляющих тока во входной ( сеточной) цепи лампы. Отрицательное влияние проходной емкости Сса сказывается также в том, что через эту емкость выходная цепь связывается с входной цепью. Такую связь называют обратной. В общем случае обратная связь может выполнять и полезные функции в усилителе, но в рассматриваемом случае ее влияние отрицательно: она увеличивает реактивную составляющую входной проводимости, что неблагоприятно сказывается на работе датчика или предыдущего каскада. [16]
Влияние емкости Си исключается путем измерения приращения суммарной емкости АС, вызванного изменением напряжения смещения на диоде. [17]
 |
Эквивалентная схема активной области диода. [18] |
Влияние емкости рассеивания на характеристики параметрических усилителей проявляется прежде всего из-за увеличения постоянной составляющей и падения коэффициента модуляции емкости, а также уменьшения частоты собственного последовательного резонанса диода. Как видно из ( 23), для определения добротности диода с учетом емкости рассеивания необходимо найти отношение GS / CI или коэффициент q, меняющиеся от диода к диоду, что связано с определенными трудностями. С другой стороны, легко показать, что ( 16) справедливо и при наличии емкости рассеивания. [19]
 |
Эквивалентная схема варактора.| Структура высокоомной области варактора. [20] |
Влияние емкости базы обнаруживалось лишь при глубоком охлаждении ( иже 10 - 30 К), экспериментальные данные хорошо соответствовали теоретической модели. [21]
Влияние емкости Си исключается путем измерения приращения суммарной емкости АС, вызванного изменением напряжения смещения на диоде. [22]
 |
Эквивалентная схема активной области диода. [23] |
Влияние емкости рассеивания на характеристики параметрических усилителей проявляется прежде всего из-за увеличения постоянной составляющей и падения коэффициента модуляции емкости, а также уменьшения частоты собственного последовательного резонанса диода. Как видно из ( 23), для определения добротности диода с учетом емкости рассеивания необходимо найти отношение GS / CI или коэффициент q, меняющиеся от диода к диоду, что связано с определенными трудностями. С другой стороны, легко показать, что ( 16) справедливо и при наличии емкости рассеивания. [24]
Влияние емкости объекта на скорость изменения регулируемого параметра определяется также коэффициентом емкости, который представляет собой количество вещества или энергии, необходимое для подведения к объекту или отвода от него, чтобы изменить значение регулируемой величины на единицу измерения. Например, при регулировании температуры в объекте коэффициентом емкости является количество тепла в калориях, которое необходимо для изменения температуры в объекте на 1 С. [25]
Влияние емкостей Сэ и Ск на частотные свойства транзистора все сильнее ощущается с ростом частоты, когда уменьшающееся емкостное сопротивление перехода становится соизмеримым с его активным сопротивлением. [26]
 |
Модель дрейфового транзистора, поясняющая возникновение электрического поля в базе. [27] |
Влияние емкости Ск обычно сказывается на частотной характеристике схемы при больших нагрузках или при использовании триодов с высокими критическими частотами. [28]
Влияние емкости системы вызывает увеличение длины пути перемешивания. Исследований, в основу которых была положена эта модель, было проведено много. [29]
 |
График зависимости С1 / С / ( /. 2 / /. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5