Влияние - емкость
Cтраница 4
 |
Определение параметров импульсного режима транзисторов с помощью выходных характеристик. [46] |
Вследствие влияния емкостей переходов и времени пробега носителей через базу, а также процессов накопления и рассасывания заряда в базе собственные параметры транзистора на высоких частотах изменяются и уже не являются чисто активными сопротивлениями. Изменяются также и все другие параметры. [47]
Такое влияние емкостей СВЫх и Свх на форме импульса сказывается следующим образом. Возникший в анодной цепи ток в момент появления фронта импульса вначале не создаст в резисторе R нагрузки никакого падения напряжения, ибо в первое мгновение сопротивление емкостей СВЫх и Свх, шунтирующих это сопротивление, равно нулю. [48]
 |
Расчетная схема сети постоянного тока с присоединенным устрой -. ством защиты от утечек.| Эквивалентная схема сети постоянного тока. [49] |
Рассмотрим влияние емкости сети на уставку отключающего сопротивления таких устройств. [50]
Рассмотрим влияние емкости Сэ эмиттерного перехода. Это объясняется тем, что емкость Сэ зашунтирована сопротивлением эмиттерного перехода ra, имеющим очень малую величину. Сопротивление 1 / соСэ начинает оказывать влияние только на очень высоких частотах, где оно становится соизмеримым с гэ. На этих частотах транзистор обычно не работает, так как емкость Ск почти полностью шунтирует генератор тока / г. Из этого следует, что влиянием емкости Сэ на частотные свойства транзистора можно пренебречь. [51]
 |
Эквивалентная схема транзистора с учетом емкостей переходов. [52] |
Сущность влияния емкости Сэ состоит в том, что чем выше частота, тем меньше сопротивление этой емкости, тем сильнее она шунтирует сопротивление гэ. Следовательно, уменьшается переменное напряжение на эмиттерном переходе, а ведь именно оно управляет током коллектора. Соответственно уменьшается эффект от усиления. Если частота стремится к бесконечности, то сопротивление 1 / ( ооСэ) стремится к нулю и напряжение на эмиттерном переходе также снизится до нуля. Практически на менее высоких частотах емкость Ск, которая шунтирована очень большим сопротивлением коллекторного перехода гк, уже настолько сильно влияет, что работа транзистора на более высоких частотах, на которых могла бы влиять емкость Сэ, становится нецелесообразной. [53]
Изучение влияния емкости поглощения гумусовых веществ проводилось с цветной водой, содержащей торфяную вытяжку и выделенные из торфяной вытяжки гуминовые и фульвокислоты. [55]
Погрешности от влияния емкостей С36 и С45 в схеме б разного знака, что дает возможность компенсировать их; в схеме а эти погрешности одного знака. [56]
Рассмотрим теперь влияние емкости нагрузки. На рис. 1.8 а представлена схема КС-цепи, учитывающая емкость нагрузки Сн. Конденсатор цепочки С совместно с конденсатором нагрузки Сн образуют емкостный делитель. [57]
Чтобы уменьшить влияние нестабильных емкостей, присоединяемых к контуру, как следует из формулы ( 9 - 8), надо стремиться к уменьшению их коэффициентов включения. Рассмотрим этот вопрос более подробно. [58]
Наоборот, влияние емкости Ств должно быть большим для нулевого четырехполюсника и малым - для максимального. Напряжение, появляющееся на высокоомном выходе четырехполюсника благодаря прохождению тока через емкость Ст6, нарушает нулевой баланс нулевого четырехполюсника. Появляющаяся в результате этого отрицательная обратная связь снижает квазирезонансное усиление и эквивалентную добротность усиления. Ств отсутствует разность потенциалов. Поэтому он не должен влиять на квазирезонансную характеристику передачи максимального четырехполюсника. [59]
Др учитывают влияние емкости промежуточного перегрева и падения давления пара перед турбиной. Для турбоустановки К-200-130 расчетным путем было получено М - 20 МВт / Гц, что означает йемк. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5