Влияние - емкость
Cтраница 3
Влияние емкости Ск проявляется в увеличении постоянной времени цепи заряда моста, а также в задержке открывания тр анзистора Тг по отношению к моменту закрывания 7Y Величина этой задержки обычно лежит в области малых времен по сравнению с основной постоянной времени цепи. [31]
 |
Ключевой режим транзистора с С-цепью. [32] |
Влияние емкости Ск на время спада тока может быть учтено так же, как и для времени нарастания коллекторного тока. [33]
 |
Эквивалентные схемы прибора с общим эмиттером на повышенных частотах ( а, б, в и схема полевого транзистора с междуэлектродными емкостями ( г. [34] |
Влияние емкости коллектора на внешние характеристики схемы с транзистором может оказаться существенным в той области частот, где изменение параметра В еще не обнаруживается. Анализ процессов на основе эквивалентной схемы рис. 4.13, а в общем случае приводит все равно к громоздким, трудно обозримым результатам. Если же ограничиться такими частотами, при которых значение 1 / ( соСк) значительно больше входного сопротивления схемы без учета емкости: 1 / ( соСк) J г & Вгэ ( но не на столько, что влиянием емкости вообще можно пренебречь), и предположить выполненным условие К. [35]
Влияние емкости системы вызывает увеличение длины пути перемешивания. Исследований, в основу которых была положена эта модель, было проведено много. [36]
Влияние емкости образцового конденсатора на добротность контура исключают следующим образом. Сначала образуют контур из элементов LK, С обр, подключая к зажимам Lx только катушку индуктивности. Затем параллельно образцовому конденсатору подключают конденсатор контура. [37]
Влияние емкости связи Ссв в этом диапазоне частот мало сказывается на выходном напряжении, так как сопротивление - FT - относительно мало. [38]
Влияние емкости образцового конденсатора на щели-чину добротности контура исключают следующим образом. [39]
 |
Индуктивная связь между элементами.| Емкостной характер связи между элементами. [40] |
Влияние емкости сигнальной связи аналогично влиянию индуктивности сигнальной связи. Если в выходном каскаде элементов используют эмиттерный повторитель или инвертор в режиме включения, то вых имеет величину порядка десятков ом. Когда транзистор выключается, выходное сопротивление становится равным коллекторному и время заряда емкости сигнальной связи определяется током, протекающим через это сопротивление. [41]
Вследствие влияния емкости p - n - перехода и времени диффузии к переходу генерируемых светом электронно-дырочных пар фотодиоды обладают инерционностью. [42]
Рассмотрим влияние емкости С2, предполагая, что ключ отпирается и запирается мгновенно. После возникновения входного перепада отрицательной полярности ключ открывается, но, поскольку между коллектором и эмиттером транзистора включены последовательно соединенные конденсатор С и вы-ходная емкость С2, напряжение на его коллекторе скачком измениться не может. [43]
Оценим влияние емкости на выводе выключателя со стороны отрезка линии на соответствующую составляющую восстанавливающегося напряжения. [44]
Из-за влияния емкости со стороны источника питания происходит запаздывание роста ПВН на нормированное время td ( см. табл. 2.2, 2.3 и кривую 2 на рис. 2.3), что приводит к облегчению условий отключения. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5