Cтраница 4
![]() |
Схема простейшего транзисторного ключа. [46] |
При анализе работы транзистора в режиме малого сигнала обычно пренебрегают влиянием носителей, накапливающихся в базе при прохождении сигнала. Форма импульса коллекторного тока в этом случае определяется частотными характеристиками транзистора. Искажение импульса в нагрузке обусловливается затягиванием переднего и заднего фронта. [47]
В отличие от результатов Поура [85] приведенные данные свидетельствуют об отсутствии влияния носителя на каталитическую активность никеля. [48]
Теории акустоэлектрического взаимодействия при малом сиг-пале могут быть проверены посредством исследований влияния носителей и электрических полей на тепловые фононы. Для этой целя несколькими авторами было использовано рассеяние Мандельштама - Бриллюэна. Пайн [6.10] измерил скорость и затухание продольных акустических фононов частоты 35 ГГц в CdS, распространяющихся вдоль оси с. [49]
Ададурова спорны, но они вносят некоторую ясность в вопрос о влиянии носителей на катализаторы. [50]
Аналогичным образом и по той же причине сказывается на энергиях связи и влияние носителя. [51]
У границ плавного p - n - перехода влияние носителей заряда аналогично влиянию носителей у резкого р-п-перехода. [52]
У границ плавного p - n - перехода влияние носителей заряда аналогично влиянию носителей у резкого / з-ге-перехода. [53]