Cтраница 1
Влияние внешнего поля - магнитное и / или электрическое поле как влияющая величина. [1]
Влияние внешнего поля на вспомогательный электрод должно быть исключено. Это достигается, во-первых, изоляцией торцевых его поверхностей, а также изоляцией поверхности, обращенной к трубопроводу, а во-вторых, расположением электрода сравнения в непосредственной близости к вспомогательному электроду. [2]
Под влиянием внешнего поля возникает перемещение электронов в направлении действующей на них силы - в кристалле пойдет ток. Этот случай относится к кристаллам металлов с их высокой электропроводностью. Электронные волны рассеиваются от неоднородностей, всегда существующих в кристаллической решетке. Рассеяние же волн соответствует конечной длине свободного пути электронов в кристалле. В случае идеальной решетки неоднородности, рассеивающие волны связаны лишь с тепловым движением ( колебаниями) решетки, что ведет к пропорциональности электропроводности о величине 1 / 7, где Т - абсолютная температура кристалла. Как мы указывали ( § 154), такая зависимость а от Т действительно наблюдается, но она не могла быть объяснена с классической точки зрения. [3]
![]() |
Дипольные моменты изомеров дихлорбензола ( каждая стрелка в масштабе равна величине цс - GI. [4] |
Под влиянием внешнего поля 8 увеличивается вплоть до значения, отвечающего ионной связи. Это возрастание тем больше, чем значительней поляризуемость, которая в свою очередь увеличивается о электроотрицательностью. [5]
Под влиянием внешнего поля происходит перестройка и перегруппировка таких областей самопроизвольного намагничивания, в результате которой получают преимущество те области, намагничивание которых п а-раллельно внешнему полю, и вещество в целом оказывается намагниченным. [6]
![]() |
Схема ориентации молекулярных магнитов в областях самопроизвольного намагничивания 1 и 2. а внешнее магнитное поле отсутствует. б под действием внешнего магнитного поля области 1 и 2 ваются. [7] |
Под влиянием внешнего поля происходит перестройка и перегруппировка таких областей самопроизвольного намагничивания, в результате которой получают преимущество те области, намагниченность которых параллельна внешнему полю, и вещество в целом оказывается намагниченным. [8]
![]() |
Дипольные моменты изомеров дихлорбензола ( каждая стрелка в масштабе равна величине Не-Ci. [9] |
Под влиянием внешнего поля б увеличивается вплоть до значения, отвечающего ионной связи. [10]
Под влиянием внешнего поля лигандов пятикратновырожденное исходное 2Д - состояние иона Си2 расщепляется на несколько энергетических уровней, число которых зависит от симметрии создаваемого поля. При тетраэдрическом и октаэдрическом расположении дипольных лигандов получаются два уровня, в то время как под влиянием менее симметричного поля квадратной и квадратно-пирамидальной конфигурации получается 4 уровня. Поскольку полосы поглощения возникают за счет перехода электрона с основного уровня на более высокие, тетраэдрически или октаэдрически построенные комплексы данного типа должны характеризоваться наличием одной полосы поглощения, а построенные по типу квадрата или пирамиды с квадратным основанием - тремя полосами. [11]
Под влиянием внешнего поля лигандов пятикратновырожденное исходное 21) - состояние иона Си2 расщепляется на несколько энергетических уровней, число которых зависит от симметрии создаваемого поля. При тетраэдрическом и октаэдрическом расположении дипольных лигандов получаются два уровня, в то время как под влиянием менее симметричного поля квадратной и квадратно-пирамидальной конфигурации получается 4 уровня. Поскольку полосы поглощения возникают за счет перехода электрона с основного уровня на более высокие, тетраэдрически или октаэдрически построенные комплексы данного типа должны характеризоваться наличием одной, полосы поглощения, а построенные по типу квадрата или пирамиды с квадратным основанием - тремя полосами. [12]
Рассмотрим сначала влияние внешнего поля на абелеву модель Хиггса. [13]
Наше обсуждение влияния внешнего поля при положительной: анизотропии было ограничено до сих пор ситуацией чистого кручения с осью спирали, нормальной полю. [14]
Следовательно, влиянием внешнего поля в этом случае можно пренебречь, тем более, что, как правило, автоматическая сварка под слоем флюса идет на переменном токе, затрудняющем электролиз. [15]