Влияние - внешнее поле
Cтраница 2
Но под влиянием внешнего поля домены стремятся расположиться вдоль силовых ланий поля ( рис. 38, б), что приводит к сильному увеличению индукции магнитного поля. [16]
Пусть под влиянием внешнего поля в системе возникла поляризация. [17]
Очевидно, что влияние внешнего поля на оптические свойства вещества проявляется, если напряженность электрического поля световой волны становится сравнимой с напряженностью внутриатомного поля Еа. [18]
Таким образом, влияние внешнего поля состоит в изменении граничной частоты суперрадиации, а также коэффициента прохождения через потенциальный барьер. [19]
Действительно, под влиянием внешнего поля обе частицы ( для простоты допустим, что линия их центров совпадает с направлением внешнего поля) приобретают параллельно ориентированные индуцированные дипольные моменты ( ИДМ) и притягиваются. Энергия диполь-дипольного притяжения пропорциональна квадрату дипольного момента и обратно пропорциональна третьей степени расстояния между центрами частиц. [20]
 |
Кривые динамического намагничивания пластин молибденового пермаллоя разной толщины 8 ( /, 50 ( 2 и 370 ( 3 мк при частоте 124 кГц. [21] |
Намагниченность ферромагнетика под влиянием внешнего поля всегда устанавливается с некоторым запаздыванием во времени. Чем больше скорость изменения магнитного поля, тем большим становится относительное запаздывание намагниченности и значительнее изменяется форма петли гистерезиса. Главными причинами задержки намагничивания являются следующие. [22]
Таким образом, под влиянием внешнего поля в кристалле возникает возмущенная электронная плотность, а значит, и дополнительный шредингеровский ток, или ток вероятности. Электромагнитное волновое поле в кристалле связано именно с распространением упомянутого возмущения и описывается методами электродинамики с помощью уравнений Максвелла. [23]
Указанные заряды, перемещаясь под влиянием внешнего поля, и вызывают возникновение тока проводимости. Связанные с возникновением такого тока проводимости потери энергии, приходящиеся на один цикл, в случае однородного диэлектрика прямо пропорциональны длительности цикла, а следовательно, обратно пропорциональны частоте. Вследствие этого тангенс угла потерь tg ft, соответствующий рассматриваемому случаю, обратно пропорционален частоте. В случае же неоднородного диэлектрика зависимость, существующая между этим видом потерь и частотой, становится много сложнее. [24]
 |
Схемы включения транзисторов.| Схема включения транзистора с подачей смещения на базу. йсм - сопротивление смещения. Ки - сопротивление нагрузки. [25] |
Электроны проводимости коллектора, втягиваясь под влиянием внешнего поля в область базы, вызывают по явление обратного тока коллекторного перехода / к о - Этот ток весьма мал, так как электроны проводимости в области коллектора не являются основными носителями зарядов. [26]
Обладая волновыми свойствами, электроны под влиянием внешнего поля могут просачиваться под потенциальным барьером. Не все электроны, достигающие барьера, полностью отражаются: некоторые из них преломляются, замедляются, и. Поскольку распределение электронов по уровням энергии металла зависит от температуры лишь в слабой степени, плотность тока эмиссии в поле также слабо зависит от температуры. [27]
Имеется сравнительно мало экспериментальных данных о влиянии постоянного внешнего поля на поведение примесей при направленной кристаллизации расплава. [28]
Оператором W может описываться, например, влияние внешнего поля на молекулы. [29]
В крупных кристаллах перестройка доменной структуры под влиянием внешнего поля сопровождается гистерезисом ( запаздыванием) отклика материала на изменение поля. Отмеченные в табл. 3.8 состояния хорошо изучены для магнетиков; о суперэлектриках и особенно о суперэластиках известно гораздо меньше. [30]
Страницы: 1 2 3 4