Влияние - внешнее поле
Cтраница 3
Операторы Гамильтона для частицы, находящейся под влиянием внешнего поля, будут указаны в следующем параграфе. [31]
Существуют конструкции приборов, называемые астатическими, в которых влияние внешнего поля компенсируется автоматически. [32]
Восприимчивость среды зависит от смещения зарядов в веществе под влиянием внешнего поля и, следовательно, связана со смещениями электронов и ядер. Нелинейная восприимчивость в высокочастотных полях определяется только смещением слабо связанных электронов и наиболее легких ядер - протонов. При рассмотрении действия низкочастотных полей необходимо учитывать движение и более тяжелых ядер. [33]
Поэтому прежде всего вычислим изменение 6G гриновской функции под влиянием внешнего поля произвольного вида. [34]
 |
Электростатические взаимодействия. четыре возможных случая кислотно-основной нейтрализации. [35] |
Под поляризуемостью мы понимаем степень деформации электронных облаков молекулы под влиянием внешнего поля, такого, как поле приближающегося иона. Легкая деформируемость требует наличия как ВЗМО, так и НВМО, которые могут легко смешиваться в результате возмущения. Подобным образом присутствие в кислоте первой вакантной орбитали с высокой энергией свидетельствует о слабой поляризуемости и большой плотности электронной оболочки, что характерно для сильноэлектроположительной молекулы и жесткой кислоты. Таким образом, оба жестких реагента характеризуются малым радиусом, низкой поляризуемостью и сильным электростатическим полем. При столкновении молекул жесткой кислоты и жесткого основания происходит большая стабилизация ( рис. 6.8), с избытком компенсирующая слабую стабилизацию, обусловленную взаимодействием их граничных орбиталей. Если в реакцию вовлекается мягкий компонент, диффузная природа его электронной оболочки приводит к уменьшению электростатического притяжения к противоиону. Можно дать другое объяснение, как это делает Пирсон, полагая, что общий заряд действительно больше на жестких системах, из чего сразу же следует их взаимная предпочтительность. [36]
 |
Зеемановское расщепление линий А. 5218 20 А и X 5220, 08 А Си I в поле 37 - 103 э. [37] |
С точки зрения теории Бора, орбита электрона испытывает под влиянием внешнего поля возмущение. Теория в первую очередь распространяется на водород и водородоподобные ионы. Атом, состоящий из ядра и одного электрона, вращающегося вокруг него по эллиптической орбите, в среднем по времени аналогичен диполю. [38]
Приведенные выше формулы непригодны для изучения электролитической проводимости в зависимости от влияния внешнего поля, которое при повышенных тем-пературах так характерно для этих кристаллов. [39]
Коэффициент JJL характеризует магнитные свойства среды, ее способность намагничиваться под влиянием внешнего поля. Вообще говоря, у диамагнитных и парамагнитных ( исключая ферромагнетики) веществ магнитная проницаемость мало отличается от единицы, как это видно из таблицы, в которой приведены значения магнитной проницаемости некоторых веществ. [40]
Коэффициент ц характеризует магнитные свойства среды, ее способность намагничиваться под влиянием внешнего поля. Вообще говоря, у диамагнитных и парамагни тных исключая ферромагнети-кй) - веществ 11-агнйтная проницаемость мало отличается от единицы, как это видно из таблицы, в которой приведены значения магнитной проницаемости некоторых веществ. [41]
 |
Устройство электромагнитного измерительного механизма с круглой катушкой. [42] |
С Ю С наружной стороны катушка закрыта стальным экраном Э, уменьшающим влияние внешнего поля. [43]
 |
Спектры фотопроводимости ( До, конденсаторной фотоэдс ( FK и фотохоллэффекта ( FH для монокристаллического слоя AgBr. [44] |
К этому случаю можно применить теорию, развитую Лашкаревым [14], по влиянию внешнего поля на монополярную фотоэдс, считая, что таким полем является поле приповерхностного заряда. Поскольку максимум фотопроводимости смещен в длинноволновую область относительно максимума диффузионного фототока [8], то на спектре фотоэдс это отражается следующим образом. В области сильного поглощения диффузионная фотоэдс под действием поля приповерхностных зарядов, образующих запорный изгиб зон, может быть увеличена до определенного предела, а при антизапорном изгибе уменьшена в крайнем случае до нуля. [45]
Страницы: 1 2 3 4