Cтраница 1
Влияние рекомбинации в базе на величину коллекторного тока учитывается коэффициентом переноса дырок ] 5 / к. [1]
Влияние рекомбинации атомов брома на стенке по реакции первого порядка должно сказываться на изменении кинетической формы для выражения общей скорости реакции от прямо пропорциональной зависимости от I а и обратно пропорциональной зависимости от корня квадратного общей концентрации ( в области высоких давлений) [ см. уравнение ( XIII. [2]
Оценим влияние рекомбинации неосновных носителей на поверхности базы на коэффициент переноса. Число рекомбинирующих на поверхности дырок можно записать равным sSsps, где s - скорость поверхностной рекомбинации, Ss - площадь поверхности, на которой происходит рекомбинация, ир8 - концентрация инжектированных дырок у поверхности. [3]
Для оценки влияния рекомбинации носителей заряда в базе на усилительные свойства транзистора используется коэффициент переноса носителей в базе, который показывает, какая часть инжектированных эмиттером дырок достигает коллекторного перехода. [4]
Это означает пренебрежение влиянием рекомбинации на скорость распада. В этом случае распад сопровождается сильным нарушением равновесного распределения по колебательным состояниям АВ вблизи границы диссоциации. [5]
Однако результаты измерения могут сильно искажаться из-за влияния рекомбинации носителей на поверхности и наличия уровней прилипания. [6]
Логан [300] использовал аналогичный метод для исследования влияния рекомбинации атомов на параметры течения в гиперзвуковой аэродинамической трубе. Им было предсказано значительное отклонение от состояния термохимического равновесия в соплах гиперзвуковых аэродинамических труб, имеющих высокую скорость охлаждения. [7]
Для современных транзисторов с большими коэффициентами усиления влиянием рекомбинации в объемной области на эмитерно-коллекторныи токовый шум можно обычно пренебречь. [8]
Зависимость а ( /) определяется главным образом влиянием рекомбинации в слое объемного заряда. [9]
Большинство работ связано с пламенами при низких давлениях, где влияние рекомбинации радикалов в процессе отбора пробы из пламени сведено к минимуму. Проблемы отбора пробы в масс-спектрометрических измерениях часто встают перед исследователями, которые изучают собственную ионизацию в пламенах. Для изучения ацетилено-кислородных пламен при давлении в несколько мм рт. ст. Калькот и Рейтер [83] использовали радиочастотный масс-спектрометр, который благодаря небольшим размерам пригоден для работы при относительно высоких давлениях. Деккерс и Ван-Тиггелен [84 - 87] изучили горение различных комбинаций топлива с окислителями при низких давлениях. [10]
Напомним, что коэффициент передачи тока эмиттера транзистора возрастает с увеличением тока эмиттера в результате уменьшения влияния рекомбинации в p - n - переходе эмиттера и появления электрического поля в базе транзистора. Коэффициент передачи тока эмиттера также растет при увеличении напряжения на коллекторе из-за уменьшения толщины базы и увеличения коэффициента умножения в коллекторном переходе. Все эти процессы происходят и в тиристорной структуре при увеличении прямого напряжения. [11]
Коханенко [11] предложил новый метод обнаружения свободных радикалов, основанный на способности фосфоресцирующих веществ люминесцировать под влиянием рекомбинации на их поверхности свободных радикалов. Этот метод не уступает по чувствительности методу металлических зеркал, но более удобен, так как может быть использован в присутствии кислорода и других веществ. [12]
Напомним, что коэффициент передачи тока эмиттера транзистора возрастает с увеличением тока эмиттера в результате уменьшения рекомбинационной составляющей тока эмиттера ( уменьшения влияния рекомбинации в p - n - переходе эмиттера) и появления электрического поля в базе транзистора. Коэффициент передачи тока эмиттера также растет при увеличении напряжения на коллекторе из-за уменьшения толщины базы и увеличения коэффициента умножения в коллекторном переходе. Все эти процессы происходят и в тиристорной структуре при увеличении прямого напряжения. [13]
Для приближения коэффициента переноса неосновных носителей заряда р к единице рекомбинация в области между эмиттером и коллектором должна быть мала. Влияние рекомбинации на уменьшение коэффициента ( 3 в точечном триоде наглядно показано в верхней части фиг. Здесь стрелками обозначены траектории лнъектированных носителей заряда, а крестиками - места их рекомбинации. [14]
Таким образом, для практических расчетов теплообмена при конденсации неподвижных паров системы МгС равновесного состава могут быть применены общепринятые формулы. Влияние рекомбинации на границе раздела фаз вследствие различия степеней диссоциации в газовой и жидкой фазах в настоящее время может учитываться использованием эффективных свойств. [15]