Влияние - рекомбинация
Cтраница 2
Чтобы приблизиться к реальным условиям, нужно учесть поверхностную рекомбинацию и диффузию носителей заряда, a T IK-же влияние точечного контакта. Влияние поверхнэстной рекомбинации сводится к нарушению сферической симметрии распределения неравновесных носителей заряда, которая сохраняется до тех пор, пока дрейфовый поток носителей заряда преобладает над их. [16]
На высоких частотах к рекомбинационным процессам в базе добавляются дисперсионные процессы, интенсивность которых зависит от толщины базы w0 - j - Дш. С ростом частоты влияние рекомбинации на изменение тока коллектора становится менее заметным по сравнению с теми изменениями, которые обусловливаются дисперсией. [17]
Постоянные времени rBN, tBi и тн являются одними из основных импульсных параметров транзистора. Эти постоянные времени характеризуют влияние рекомбинации на процессы в триоде. [18]
 |
Зависимость коэффициента kww от температуры и давления. [19] |
Видно, что при малых температурах поверхности Т 500 К, преобладает рекомбинация Или-Райдила для обоих случаев. Однако с возрастанием поверхностной температуры проявляется влияние рекомбинации Ленгмюра-Хиншельвуда. Рисунок 2.23 показывает также, что в этой модели при высоких температурах, 7оо сильно зависит от парциального давления. При увеличении PQ вероятность рекомбинации 700 уменьшается. Согласие данной модели с экспериментальными данными как для высокого, так и для низкого парциального давления является хорошим. Эта модель может предсказать величину 700 B широком диапазоне изменения температуры поверхности и парциального давления в диссоциированном газе. [20]
 |
Зависимость коэффициента kWN от температуры и давления. [21] |
Видно, что при малых температурах поверхности Т 500 К, преобладает рекомбинация Или-Райдила для обоих случаев. Однако с возрастанием поверхностной температуры проявляется влияние рекомбинации Ленгмюра-Хиншельвуда. Рисунок 2.23 показывает также, что в этой модели при высоких температурах, 7оо сильно зависит от парциального давления. При увеличении ро вероятность рекомбинации 700 уменьшается. Согласие данной модели с экспериментальными данными для высокого, так и для низкого парциального давления является хорошим. Эта модель может предсказать величину 700 B широком диапазоне изменения температуры поверхности и парциального давления в диссоциированном газе. [22]
 |
Вольт-амперные характеристики в фотодиодном режиме. [23] |
Время существования лимитируется двумя процессами исчезновения - рекомбинацией и уходом через п - р-пере-ход. Обычно в правильно сконструированных фотодиодах с достаточно тонкой базой влиянием рекомбинации можно пренебречь:), так как все неосновные носители успевают за время много меньшее, чем т, уйти через п - р-переход. [24]
Выражение (5.3) представляет собой уравнение ВАХ диодного тиристора в закрытом состоянии. Напомним, что статический коэффициент передачи тока эмиттера транзистора растет с увеличением тока эмиттера в результате уменьшения влияния рекомбинации в эмиттерном переходе и появления электрического поля в базе из-за увеличения градиента концентрации носителей заряда. Коэффициент передачи тока эмиттера растет также с увеличением напряжения на коллекторном переходе в результате уменьшения толщины базы и увеличения коэффициента лавинного размножения в коллекторном переходе. Эти четыре физических фактора вызывают рост суммарного статического коэффициента передачи тока тиристорной структуры при увеличении напряжения и соответственно тока в закрытом состоянии тиристора. [25]
 |
Зависимость температуры газа от давления. 1 - COj, / 1 5 ма. 1 - СС2, / 4 5 ма. 2 - С121 5 ма. 2 - С12, / 4 5лш. [26] |
Они обычны для скоростей возбуждений электронных состояний атомов и молекул в газоразрядной плазме и не свидетельствуют о наличии ступенчатых процессов диссоциации. Прохождение через максимум с ростом давления измеренной скорости диссоциации таких газов, как Н2, N2, CO связано с отмеченным выше влиянием объемной рекомбинации атомов. [27]
 |
Зависимость остаточного давления pl от начального давления рц при 420 С. [28] |
Второе из вычисленных нами значений находится, как видно из кривой, в полном согласии с опытными данными. Величина же ( / примерно в полтора раза меньше, чем опытное значение, равное 0.14 мм рт. ст. Это расхождение можно объяснить влиянием рекомбинации атомов водорода в объеме. На первый взгляд такое предположение при столь малых давлениях ( 0.5 - 0.6 мм рт. ст.) кажется невероятным. [29]
Можно освещать какую-нибудь из р - или re - областей, надо только сделать их достаточно узкими. Малая ширина р - и - областей нужна потому, что при этом уменьшается время дрейфа носителей в обеих областях, а тем самым в значительной мере устраняется влияние рекомбинации. [30]
Страницы: 1 2 3