Влияние - рекомбинация
Cтраница 3
В нашем случае данным выражением будет определяться величина коэффициента переноса р в коллекторном переходе в случае, когда пролетное время tt значительно меньше времени жизни в переходе тр. Другими словами, мы пренебрегаем влиянием рекомбинации на дрейфовый коэффициент переноса неосновных носителей через коллекторный переход. [31]
Сплошными кривыми показаны значения тепловых потоков к поверхности химически нейтральной по отношению к гетерогенной рекомбинации атомов С, штриховыми - тепловые потоки к поверхности, идеально каталитической для рекомбинации этих атомов. Как и следовало ожидать, роль катализа атомов углерода возрастает с увеличением энтальпии набегающего потока, пропорциональной мощности плазматрона. При этом область значений температуры поверхности, в которой влияние рекомбинации атомов С становится заметной, расширяется в сторону низких температур. Следует отметить, что на тепловые потоки, которые исследовались в [157], этот процесс практически не влияет. [33]
Сплошными кривыми показаны значения тепловых потоков к поверхности химически нейтральной по отношению к гетерогенной рекомбинации атомов С, штриховыми - тепловые потоки к поверх ности, идеально каталитической для рекомбинации этих атомов. Как и следовало ожидать, роль катализа атомов углерода возрастает с увеличением энтальпии набегающего потока, пропорциональной мощности плазматрона. При этом область значений температуры поверх ности, в которой влияние рекомбинации атомов С становится заметной, расширяется в сторону низких температур. Следует отметить, что на тепловые потоки, которые исследовались в [157], этот процесс практически не влияет. [35]
В темновых условиях проводимость поликристаллических пленок ограничивается в большинстве случаев барьерами на межкристаллитных границах. Освещение снижает потенциалы границ и приводит к существенному увеличению проводимости образцов Si, иногда сводя на нет влияние барьеров между зернами. При освещении определяющим становится механизм рекомбинации, однако в общем случае учет влияния рекомбинации на перенос носителей заряда требует решения трехмерной задачи. [36]
Это требует корректировки теории, рассмотренной в предыдущих пунктах. Уравнение непрерывности для электронов в базе, являющееся основой расчета токов транзистора, при промежуточных и высоких уровнях инжекции становится нелинейным и может быть решено только численными методами, что затрудняет построение теории транзистора. Однако существует подход, позволяющий обойти возникающие затруднения и разработать приближенную аналитическую теорию. Этот подход основан на том факте, что в реальных узкобазовых транзисторах влияние рекомбинации на распределение концентрации электронов п ( х) в базе мало. Такое утверждение справедливо не только при низком, но и практически при любом уровне инжекции электронов в базе. Это позволяет на первом этапе расчетов определить зависимость п ( х) путем решения более простого уравнения, чем уравнение непрерывности, а именно решить уравнение для тока электронов (1.35) относительно п ( х), полагая / э - / п - const. С помощью распределения п ( х) на втором этапе нетрудно рассчитать рекомбинацион-ный ток электронов и далее все статические параметры и характеристики транзистора. [37]
Отступления от теории плазмы низкого давления дают себя знать вследствие того, что начинают играть заметную роль столкновения между молекулами газа и ионами, движущимися к стенкам. Очевидно, что при этом уже многие ионы на пути от места зарождения до стенок имеют столкновения с молекулами, а это не учитывалось в теории плазмы низкого давления. Новое качественное изменение хода кривых, начинающееся вблизи линии В В, связывают с влиянием рекомбинации ионов и электронов в объеме газа, влияние которой при низких давлениях ничтожно. [38]
Страницы: 1 2 3