Структура - диод
Cтраница 1
Структура диода с барьером Шотки приведена на рис. 3.4. На кристалле кремния с проводимостью - типа формируется тонкий эпитаксиальный слой. [1]
Толщина структур диодов при этом существенно возрастает; вместе с ней возрастают прямые напряжения и средняя мощность потерь в диодах. [3]
На неоднородное распределение температуры структуры диода по ее площади влияют к дефекты конструкции, приводящие к неоднородному теп-лоотводу от различных участков структуры. [4]
Выделение в малом объеме структуры диода в процессе его работы значительного количества теплоты требует создания хорошего теплоотвода. Существуют три основных вида охлаждения диодов: воздушное, жидкостное и испарительное. В случае воздушного охлаждения диод крепится на специальный ребристый ра - кА диатор. Для уменьшения га - з 5 барита радиаторов часто используется принудительная циркуляция охлаждающего воздуха при скоростях 3 0 порядка 6 - 12 м / с. При жидкостном охлаждении в качестве хладоагента обычно применяются вода или трансформаторное масло, которые циркулируют через радиатор диода. Охлаждение самого хладоагента производится в специальном теплообменнике. [5]
 |
Кривые нагрузочной способности диода. [6] |
Тепловое сопротивление зависит не только от структуры диода и его материалов, но и от рода охлаждающей среды ( воздух, вода, масло) и интенсивности охлаждения. Так, например, в вентилях типа ВКД-200 при воздушном охлаждении оно изменяется в зависимости от скорости воздуха в пределах от 0 25 до 0 75Q С / вт, а при водяном охлаждении - от 0 15 до 0 4 С / вт. [7]
 |
Выбор рабочей точки па вольт-амперной характеристике диода для его инвертирования. [8] |
На рис. 1.62, а изображена структура диода р - п, на рис. 1.62 6 - изменение напряженности электрического поля по структуре при обратном напряжении, соответствующем лавинному пробою. Пары электрон-дырка, генерируемые в узкой части области объемного заряда, где напряженность поля достаточна для ударной ионизации, разделяются полем перехода. Ток через диод идет до тех пор, пока носители двигаются по области объемного заряда. Из-за несимметричности р-л-перехода время дрейфа электронов через область объемного заряда до относительно низкоомной - области получается больше времени дрейфа дырок. Это время дрейфа электронов, или время пролета, определяет на высоких частотах фазовый сдвиг между приложенным к диоду напряжением и проходящим током. [9]
На рис. 3.54, а изображена структура диода р - п, на рис. 3.54, б - изменение напряженности электрического поля по структуре при обратном напряжении, соответствующем лавинному пробою. Пары электрон - дырка, генерируемые в узкой части области объемного заряда, где напряженность поля достаточна для ударной ионизации, разделяются полем перехода. Ток через диод идет до тех пор, пока носители двигаются по области объемного заряда. [10]
Сопротивление диода в области пробоя зависит от структуры диода и лавинного тока. В начале пробоя это сопротивление очень велико, а при больших плотностях тока уменьшается до величины, близкой к объемному сопротивлению. Согласно теоретическим представлениям лавинный ток передается импульсами в 50 - 80 мка, проходя через ряд небольших участков перехода, что обусловливает высокое сопротивление при малом числе импульсов и уменьшение сопротивления с повышением числа импульсов. При плотности тока порядка 104 а / см2 в работу включается вся площадь перехода и сопротивление носит только объемный характер. Зависимость сопротивления по переменному току низкой частоты в области пробоя для различных пробивных напряжений от обратного тока показана на фиг. Значения сопротивления получены наложением малого сигнала переменного тока на соответствующее смещение по постоянному току и измерением потенциала переменного тока через диод. [11]
Изгиб выводов допускается не ближе 7 мм он структуры диода. [12]
Изгиб выводов допускается не ближе 7 мм от структуры диода. [13]
Эквивалентная температура не обязательно является максимальной температурой в структуре диода. [14]
В отличие от всех других типов полупроводниковых диодов СВЧ структура диода с объемным эффектом не содержит р-п перехода и представляет собой тонкую пластинку из GaAs n - типа ( обычно в форме квадрата со стороной 0 1 - 0 15 мм), на обе поверхности которой пайкой или металлизацией нанесены невыпрямляющие металлические контакты. Процесс преобразования энергии постоянного тока в СВЧ колебания, в отличие от диодов с р-п переходом, происходит не в какой-либо узкой области образца, а во всем объеме полупроводника. [15]
Страницы: 1 2 3