Структура - диод
Cтраница 2
 |
Динамическая модель / проб диода. [16] |
Сопротивление ГБ представляет собой омическое сопротивление базы ( высокоомной области структуры диода), сопротивление Гут - сопротивление утечки реального диода. [17]
В режиме лавинного пробоя из-за повышения плотности тока в отдельных участках структуры диода могут образовываться небольшие центры разряда, называемые микроплазмами. Поэтому решающим фактором для работы ЛФД является однородность лавинного процесса, реализовать которую возможно только в совершенных электронно-дырочных переходах. [18]
Под В9здействием различных факторов окружающей среды некоторые параметры, характеристики и свойства структур СВЧ диодов могут изменяться. Для герметичной защиты диодных структур от внешних воздействий служат корпуса приборов. [19]
Расчет параметров р-п-р-п структуры тиристора, как и в случае р - п-п структуры диода, начинается с расчета толщины слоя объемного заряда коллекторного перехода в n - базе. Следует заметить, что (13.5) справедлива для резкого перехода. При меньших напряжениях расчет Won усложняется. [20]
 |
Диод таблеточной конструкции.| Герметизация корпуса диода завальцовкой. [21] |
Другим ее достоинством является то, что ова позволяет реализовать двусторонний теплоотвод от структур диодов. [22]
 |
Вольт-амперная характеристика диода в прямом направлении при двух значениях температуры. [23] |
Отрицательная температурная зависимость прямого напряжения при малых токах используется на практике для измерения температуры структур диодов. Для этого, нагревая диод в термостате, строят зависимость прямого напряжения от температуры при заданном малом значении прямого тока. Этот ток называется измерительным, а построенная зависимость - градуировочной кривой. Затем, когда диод нагружен рабочим током, в паузах между импульсами этого тока ( рис. 1.21) через диод пропускают тот же измерительный ток, для - которого была построена градуировочная кривая. По измеренному значению прямого напряжения, используя градуировочную кривую, определяют температуру полупроводниковой структуры диода, до которой она нагревается при нагрузке диода заданным рабочим током. [24]
 |
Распределение напряженности электрического поля в слаболегированной п-области p - n - перехода в различные мо менты времени при работе лавинно-пролетного диода в режиме с захваченной плазмой. [25] |
Принцип действия при этом режиме работы связан с тем, что скорость перераспределения электрического поля в структуре диода может значительно превышать скорость дрейфа носителей заряда. На рис. 3.59 показано распределение напряженности электрического поля в слаболегированной п-области р - п-п - структуры лавинно-пролетного диода в различные моменты вре-мени после включения диода на обратное напряжение, превышающее пробивное напряжение. В первый момент ( t) напряженность электрического поля максимальна около металлургической границы. Именно здесь из-за ударной ионизации начинается образование электронно-дырочной плазмы. Это приводит к перераспределению электрического поля в п-области. [26]
 |
Распределение напряженности электрического поля в слаболегированной п-области р-гс-перехода в различные моменты времени при работе лавинно-пролетного диода в режиме с захваченной плазмой. [27] |
Принцип действия при этом режиме работы связан с тем, что скорость перераспределения электрического поля в структуре диода может значительно превышать скорость дрейфа носителей заряда. На рис. 3.59 показано распределение напряженности электрического поля в слаболегированной n - области р - п-п - структуры лавинно-пролетного диода в различные моменты времени после включения диода на обратное напряжение, превышающее пробивное напряжение. В первый момент ( t) напряженность электрического поля максимальна около металлургической границы. Именно здесь из-за ударной ионизации начинается образование электронно-дырочной плазмы. Это приводит к перераспределению электрического поля в п-области. [28]
 |
Потери оптического излучения при выводе во внешнюю среду. [29] |
Однако даже при большом значении уп внешний квантовый выход может оказаться малым вследствие низкого вывода излучения из структуры диода во внешнюю среду. [30]
Страницы: 1 2 3