Структура - диод
Cтраница 3
Как правило, при этом для нахождения параметров полупроводникового материала ( концентрации примеси, удельного сопротивления) необходим ряд дополнительных данных о структуре диода. Так, для определения из измеренной барьерной емкости концентрации примесей или ее градиента требуется знать площадь барьера, характер распределения примесей, высоту барьера. Величина пробивного напряжения также зависит от характера распеделения примесей и, кроме того, от трудно учитываемого расчетом состояния поверхности полупроводника. [31]
Полупроводниковый диод представляет собой полупроводниковый кристалл с двумя слоями проводимости, заключенный в корпус и снабженный двумя выводами для присоединения во внешнюю цепь. В основе структуры диода лежит р-п переход. ВАХ реального диода ( рис. 1.3 6, кривая 2) несколько отличается от характеристики идеального р-п перехода. [32]
Полупроводниковый диод представляет собой полупроводниковый кристалл с двумя слоями проводимости, заключенный в корпус и снабженный двумя выводами для присоединения во внешнюю цепь. В основе структуры диода лежит р-п переход. ВАХ реального диода ( рис. 1.3 6, кривая 2) несколько отличается от характеристики идеального р-п перехода. Прямое падение напряжения на диоде больше напряжения на р-п переходе на значение падения напряжения при прохождении тока через толщу слоев полупроводника, главную роль при этом играет падение напряжения в слаболегированном. [33]
 |
Кривые мгновенных значений тока и напряжения на диоде для интервалов включения и выключения. а - процесс включения. б - процесс выключения. [34] |
В интервале восстановления обратного сопротивления диода ( Д об. с на рис. 1 - 5 6) при наличии на нем уже значительного обратного напряжения через него может протекать довольно большой обратный ток. Это явление приводит к выделению в структуре диода в эти моменты значительной мощности. [35]
Для работы на высоких и сверхвысоких частотах полупроводниковые приборы должны иметь малые значения паразитной ( собственной) емкости и индуктивности. Собственная индуктивность диода главным образом определяется его конструкцией, а собственная емкость в основном зависит от площади выпрямляющей структуры диода. Диод с минимальным значением собственной емкости ( с наименьшими геометрическими размерами выпрямляющей структуры) создают путем соприкосновения вольфрамовой иглы с кристаллом полупроводникового материала. Получение выпрямляющей структуры с заданными электрическими параметрами связано с соответствующим выбором силы давления иглы на кристалл и точки их соприкосновения. [36]
Диоды на основе коллекторного перехода ( рис. 12.2, б, д) имеют наибольшее обратное напряжение, диоды на основе эмиттерного перехода ( рис. 12.2, а, г) - наибольшее быстродействие и наименьший обратный ток, а диоды на основе параллельного включения переходов ( рис. 12.2, в) - наименьшее быстродействие и наибольший прямой ток. Структура диода рис. 12.2, а характерна для интегральных стабилитронов. [37]
Переключатель однополосный на диапазон частот от 0 8 до 1 4 ГГц с развязкой не хуже 25 дБ и временем переключения менее 600 мс. В переключателе использованы два кристалла со структурами диодов р-г-и-типа, включенные в параллель на расстоянии / 4 длины волны от узлового соединения, а также шесть кристаллов со структурами микроконденсаторов для блокирования постоянных токов и замыкания цепей по высокой частоте. [38]
Все эти факторы не учитываются при измерении температуры перехода. Измеренная температура является некоторой усредненной ( эффективной) температурой перехода. Отсюда ясно, что эффективная эквивалентная температура не обязательно является самой высокой температурой структуры диода. [39]
При воздействии ударных прямых токов температура перехода, как было указано выше, существенно превышает значение максимально допустимых температур в длительных режимах работы. Факторами, ограничивающими значения ударных прямых токов, при этом могут быть: расплавление припоев в диодах с паяными контактами; разрушение структур диодов из-за механических напряжений, возникающих в конструкциях выпрямительных элементов; шнурование тока при высоких температурах. [40]
Страницы: 1 2 3