Структура - валентная зона
Cтраница 1
Структура валентной зоны графита и алмаза имеет мало общего с таковой для одномерного углерода. Максимумы Е3 и Е4 связаны с потолком и дном ст-зоны цепочек углерода. Верхняя часть валентной зоны ( Е17 эВ) отвечает - т-подзоне углеродной цепочки. Она располагается гораздо глубже / т-зоны в графите. Расчетные данные о распределении плотности электронных состояний в углеродной цепочке в зависимости от числа атомов в ней приведены на pnc. [1]
Структура валентной зоны Ge и Si значительно сложнее, чем зоны проводимости. Исключая из рассмотрения отщепленную за счет спин-орбитального взаимодействия зону, двухкратно вырожденный в k О экстремум можно представить изоэнергетическими поверхностями типа деформированных сфер, находящихся одна в другой. [2]
Сходство структуры валентной зоны у большинства соединений A11IBV приводит к тому, что эффективные массы дырок имеют близкие значения. При повышенных температурах главным механизмом рассеяния в соединениях A111 Bv является полярное взаимодействие носителей заряда с оптическими колебаниями решетки. Этот вид взаимодействия играет особую роль вследствие большого дипольного момента, возникающего при относительном движении двух неодинаковых атомов. В ковалентных полупроводниках со структурой алмаза оба атома в элементарной ячейке имеют одинаковую природу, поэтому оптические неполярные колебания решетки играют значительно меньшую-роль. [4]
Изучение структуры валентной зоны графита и карбида кремния показало, что СК-спектры этих веществ существенно отличаются друг от друга по интенсивности отдельных максимумов, однако положение пиков тонкой структуры остается неизменным. [5]
В действительности структура валентной зоны и зоны проводимости более сложная. [6]
 |
Структура валентной зоны и плотность состояний п ( п. для Si, расчитанные по методу сильной связи ( штриховые кривые и по методу эмпирического псевдопотенциала ( сплошные кривые. [7] |
На рис. 2.24 структура валентной зоны Si, расчитанная по методу сильной связи, сравнивается со структурой, расчитанной по методу эмпирического псевдопотенциала. [8]
Наиболее часто для определения структуры валентной зоны в трехмерных полупроводниках с помощью СФУР используется метод, базирующийся на сохранении трех компонент fe, что следует из трехступенчатой модели. Поскольку парабола является просто аппроксимацией к более высоким зонам проводимости, ее дно не соответствует дну истинной зоны проводимости. Вблизи этого дна поведение электронов в зоне сильно отличается от поведения свободных электронов ( см. гл. Поэтому энергия дна параболы свободных электронов является просто подгоночным параметром, не имеющим ясного физического смысла. [9]
Высокая чувствительность к изменению структуры валентных зон позволяет определять по ним не только число атомов сложной молекулы, но и группы других атомов, с которыми связан данный атом. [10]
Из остальных параметров, определяющих структуру валентной зоны, экспериментальные данные имеются в настоящее время для полной ширины валентной зоны, а в некоторых случаях - и других ее подзон. [11]
Соответствие структуры ПП в фотоэмиссионном спектре структуре валентных зон получает дальнейшее подтверждение при сравнении фотоэмиссии в газовой и твердой фазах. [13]
 |
РФЭС спектры GaP, GaAs, GaSb и AlSb ( сплошные линии и интегрированные по углу УФЭС спектры ( Ншь 21 2эВ, штриховые ли нии. 1г - особенности в спек тре, соответствующие крити ческим точкам. [14] |
Сравним теперь спектры рисунка 8.13 со структурой валентной зоны германия. Следующий более низкий пик соответствует гибридной 4p 4s зоне. Перечисленные пики довольно хорошо соответствуют пикам на рис. 8.13, обозначенным как I, II и III. [15]
Страницы: 1 2 3 4