Структура - валентная зона
Cтраница 3
На рис. 71 приведены схемы энергетических зон в соединениях AmSb. Структура валентной зоны в принципе одинакова для всех соединений AIUBV, в то время как структура зоны проводимости различается. Сравнение с зонной структурой германия и кремния показывает, что некоторые из состояний, которые в элементарных полупроводниках дважды вырождены, в соединениях AIUBV подвергаются расщеплению. Расщепленные уровни располагаются парами, причем степень разделения их в разных точках зоны Бриллюэна различна. [31]
Здесь зонная структура кремния трактуется упрощенно. В действительности структура валентной зоны и зоны проводимости более сложная. [32]
Как видно, кривые РЭЭ для всех фталоцианинов весьма похожи. Из этого можно заключить, что структуры валентных зон, согласно данным фотоэмиссии, определяются структурой порфириновых колец, общих для всех соединений. Следовательно, атомы металла оказывают незначительное влияние на структуру верхних валентных уровней. Кроме того, сравнение спектров РЭЭ фталоцианинов с спектрами РЭЭ бензола показывает, что структура в интервале от 7 до - 14 эВ определяется бензольной группой в порфирине. Более всего в этих соединениях различаются положения уровня Ферми. [33]
До настоящего времени не удалось экспериментально получить подробных количественных данных о форме валентной зоны антимонида индия. Однако экспериментальные результаты, по-видимому, согласуются со структурой валентной зоны, аналогичной в общих чертах структуре валентной зоны германия или кремния. В теоретических работах по анти-мониду индия предполагается существование трех зон: зоны Vi тяжелых дырок, зоны V2 легких дырок, вырожденной с Vi при k 0, и зоны F3, обусловленной спин-орбитальным взаимодействием ( фиг. [34]
Очевидно, для аналитических целей изучения химического состава вещества метод УФЭС не может быть использован, поскольку нет прямой и однозначной идентификации атомов химического элемента по УФЭ-спектрам. Однако при исследованиях состояния валентных электронов свободных атомов, находящихся в сложных молекулах, или структуры валентных зон твердых тел метод УФЭС занимает одно из ведущих мест. Метод УФЭС имеет и свои недостатки, вызванные трудностью однозначной расшифровки спектра, особенно сложных многоэлементных систем. [35]
До настоящего времени не удалось экспериментально получить подробных количественных данных о форме валентной зоны антимонида индия. Однако экспериментальные результаты, по-видимому, согласуются со структурой валентной зоны, аналогичной в общих чертах структуре валентной зоны германия или кремния. В теоретических работах по анти-мониду индия предполагается существование трех зон: зоны Vi тяжелых дырок, зоны V2 легких дырок, вырожденной с Vi при k 0, и зоны F3, обусловленной спин-орбитальным взаимодействием ( фиг. [36]
Инверсионные и обогащенные слои, образующиеся вблизи границы раздела Si - SiO2, по упомянутым выше причинам являются наиболее широко исследуемыми системами. Большинство работ посвящено изучению свойств двумерных каналов я -, а не р-типа, так как, во-первых, электроны обладают более высокой подвижностью, а во-вторых, в кремнии структура зоны проводимости не так сложна, как структура валентной зоны, что позволяет сравнительно легко описывать свойства электронов теоретически. Именно поэтому первые семь глав посвящены более подробному обсуждению свойств именно электронных слоев пространственного заряда, главным образом инверсионных слоев на поверхности ( 100) Si. Кратко обсуждаются свойства некоторых других родственных систем, которым посвящено большое число исследований, иногда предшествовавших исследованиям поверхностных каналов в Si. К ним относятся тонкие пленки, магнитные поверхностные состояния в металлах, слоистые соединения и интернированный графит. Эта система обладает некоторыми общими свойствами с другими рассматриваемыми 1 двумерными электронными системами, но ей присущи и свои характерные особенности. [37]
В этой главе мы приступим к систематическому исследованию зависимости между структурой полос и характером химической связи для ряда наиболее распространенных кристаллов в соответствии с задачами, сформулированными во введении. При этом мы отдельно рассмотрим валентную зону. Структура валентной зоны довольно нечувствительна к индивидуальным особенностям химической связи в кристаллах различных элементов IV группы, что позволяет описать валентную полосу более простыми средствами. Подобный подход позволит выработать предварительную точку зрения, на основе которой в следующей главе будет исследован ряд более тонких проблем, связанных со структурой полосы проводимости и полной зонной структурой. Простой способ описания валентной полосы представляет также вполне самостоятельный интерес, поскольку для интерпретации большого круга экспериментальных данных по рентгеновской и рентгаюэлектронной спектроскопии достаточно знать структуру лишь этой полосы. [38]
По данным оже-спектроскопии была получена структура валентной зоны ориентированной пленки, которая соответствует кумуленовой цепочке с длиной линейного фрагмента в пять атомов углерода. [39]
 |
Зависимость коэффициента поглощения от длины волны вблизи края собственного. [40] |
Для оптических свойств полупроводников характерно существование так называемого края собственного поглощения. Полупроводник более или менее прозрачен для фотонов с энергией ЕЕ0 и совершенно непрозрачен для фотонов с большей энергией. Структура края поглощения связана с структурами валентной зоны и зоны проводимости в этой области, где они близки друг к другу. [41]
 |
Энергетические состояния экситонов Ванье. По казаны связанные состояния с п от 1 до 3 и состояния непрерывного спектра. Ее - ширина запрещенной зоны, R - энергия связи экситона. [42] |
Приведенная выше модель экситонов, основанная на электронах и дырках со сферически симметричной параболической дисперсией, полезна для качественного понимания экситонных эффектов в оптических спектрах. Однако она недостаточно точна для количественной интерпретации экспериментальных спектров в полупроводниках типа алмаза и цинковой обманки. Как уже говорилось в главе 2, структура валентной зоны в этих полупроводниках является более сложной вследствие вырождения и гофрировки. В табл. 6.4 приведены экспериментально определенные энергии связи экситона и боров-ские радиусы для ряда прямозонных полупроводников. [43]
В этом случае одноосное давление приводит к расщеплению вырожденных зон тяжелых и легких дырок в центре зоны Бриллюэна ( см. задачу 3.8 в), и зоны становятся параболическими. Деформационный потенциал b имеет такой знак, что состояние Jz 1 / 2 ( обладающее теперь большей массой. В то время как одноосное давление сжатия вдоль направлений высокой симметрии в полупроводниках типа алмаза и цинковой обманки приводит к упрощению валентных зон с J 3 / 2 в направлении fe, перпендикулярном давлению, снимая их вырождение и устраняя гофрирование, потенциал квантовой ямы усложняет структуру валентных зон, приводя к их смешиванию и антипересечению уровней. [44]
 |
Схема вакуумной установки для фотоэмиссионных измерений. 1 - - образец-эмиттер ( Е. 2 - окно из фтористого лития. 3 - вакуумная камера. 4 - металлический коллектор ( С. [45] |
Страницы: 1 2 3 4