Cтраница 2
Анализ приведенных данных позволяет допустить в большинстве случаев наличие структур внедрения. Отмечено сохранение значений электропроводимости и плотности металла при внедрении атомов неметаллов, либо их возрастание. [16]
Различные вещества третьей группы, относящиеся к соединениям типа структур внедрения, по электропроводности чаще всего соответствуют металлам и реже - полупроводникам, представляя в этом отношении особую переходную группу между металлами и полупроводниками, или группу веществ, называемых иногда примесными металлами либо полуметаллами. Кроме того, возможно использование этих соединений либо в виде слоев, наносимых на специально обработанные ( § 9 - 2) металлические керны, непосредственно накаливаемые током, либо в виде дисков или пластин, накаливаемых от подогревателей специальной конструкции. [17]
Замечания в этом разделе относятся главным образом к соединениям, образующим структуры внедрения и не содержащим железа. Структуры внедрения железа, имеющие чрезвычайно важное техническое значение, описаны очень кратко в заключительном разделе. Температура плавления и твердость некоторых соединений, имеющих структуры внедрения, также приведены ниже. Эти соединения могут быть получены нагреванием тонко измельченного металла с углеродом или бором, или в токе аммиака до температуры около 2200 С для карбидов, 1800 - 2000 для боридов и 1100 - 1200 для нитридов. Другим способом получения является нагревание металла ( в виде проволоки) в атмосфере какого-либо углеводорода или азота. Твердый раствор состава 4TaC - - ZrC ПЛЕВИТСЯ при чрезвычайно высокой температуре, равной 4215 К - Эти соединения химически очень инертны, за исключением случая воздействия окислителей; они обладают высокой электропроводностью, понижающейся с повышением температуры так же, как и у металлов; некоторые из этих соединений обладают сверхпроводимостью. В приведенной ниже таблице дана твердость по шкале Мооса. [18]
Атом фосфора имеет значительные размеры ( 0 93 А), поэтому структурой внедрения обладают лишь фосфаты щелочноземельных элементов с большими атомными радиусами, а также UP и ТИР. [19]
Такие частицы будем называть смещенными, или дислоцированными: они внедрены в структуру кристалла, подобно посторонним частицам в структурах внедрения или твердых растворах II рода ( ср. [20]
Если в предыдущих двух типах структур дефекты условной решетки зависели от дефектов материальной решетки, то принято утверждать, что в структурах внедрения нарушается в основном только условная решетка. При этом позиции узлов последней замещаются либо посторонними структурными узлами ( нормальный случай, подробно исследованный Хэггом), ( рис. 148, А), либо узлами одного из сортов, входящих в состав материальной решетки. [21]
Особую группу представляют собой катоды, для которых эмиттирующими электроны веществами являются различного рода тугоплавкие соединения, принадлежащие с кристаллографической точки зрения к так называемым структурам внедрения. [22]
В германии ф-фаза) мышьяк растворяется, вызывая значительное увеличение удельного веса, несмотря на то, что атомные веса обоих элементов близки и что период решетки практически не меняется: повидимому, возникают структуры внедрения. [23]
Замечания в этом разделе относятся главным образом к соединениям, образующим структуры внедрения и не содержащим железа. Структуры внедрения железа, имеющие чрезвычайно важное техническое значение, описаны очень кратко в заключительном разделе. Температура плавления и твердость некоторых соединений, имеющих структуры внедрения, также приведены ниже. Эти соединения могут быть получены нагреванием тонко измельченного металла с углеродом или бором, или в токе аммиака до температуры около 2200 С для карбидов, 1800 - 2000 для боридов и 1100 - 1200 для нитридов. Другим способом получения является нагревание металла ( в виде проволоки) в атмосфере какого-либо углеводорода или азота. Твердый раствор состава 4TaC - - ZrC ПЛЕВИТСЯ при чрезвычайно высокой температуре, равной 4215 К - Эти соединения химически очень инертны, за исключением случая воздействия окислителей; они обладают высокой электропроводностью, понижающейся с повышением температуры так же, как и у металлов; некоторые из этих соединений обладают сверхпроводимостью. В приведенной ниже таблице дана твердость по шкале Мооса. [24]
Если ширина области гомогенности достаточно велика, выбор между двумя механизмами решается, например, определением пикно-метрической тя и рентгеновской ах плотности. С образованием структур внедрения период идентичности растет, с образованием структур вычитания - уменьшается. [25]
Структура внедрения первого рода энергетически маловероятна. Более вероятной бывает структура внедрения второго рода. Включение примесных атомов в междуузлия существенно влияет на некоторые свойства кристаллов, например на их проводимость. [26]
Его структура представляет собой структуру внедрения на основе кристаллической решетки гидроксида никеля, поэтому как в реакции (4.7), так и в реакции (4.8) не происходит образования или разрушения кристаллической решетки первичного осадка, а она лишь деформируется в первом случае и совершенствуется во втором. [27]
Окклюзия газов некоторыми металлами представляет интерес и как процесс образования нестехиометрических соединений, рассматриваемых в этой книге. Превосходными примерами подобных нестехиометрических соединений являются некоторые структуры внедрения, образующиеся при взаимодействии переходных металлов с такими неметаллами, как водород, бор, углерод и азот. Большое число работ, посвященных растворам внедрения углерода в железо [37, 42, 69], является хорошей основой для понимания структур газ - металл. В намерение авторов не входит полный обзор работ в этой области, так как за последние годы на эту тему было опубликовано несколько обзоров [11, 12, 14, 94], а в библиографии перечислены некоторые из последних исследований по окклюзии водорода металлами. Рассмотрим лишь некоторые закономерности процесса окклюзии, используя в качестве основного примера окклюзию водорода цирконием. [28]
В некоторых случаях примеси попадают в междуузлия, образуя структуры внедрения или твердые Термин автора. [29]
Недостаток SITOMOB одного сорта в кристаллах ABi x обычно обусловливается структурой вычитания. Однако это всегда требует доказательства, так как не полностью исключена возможность структуры внедрения А в решетку АВ. [30]