Cтраница 1
Структура фильтра обеспечивает большую пропускную способность, позволяет поддерживать в допустимых пределах равновесие между эффективностью очистки и потерей давления, длительное время работать в условиях коррозии при температуре до 120 С. Для сравнения укажем, что английские фильтры аналогичного назначения, изготовленные из нержавеющей стали, выходят из строя и требуют замены примерно уже через 1 год, причем стоимость их значительно выше отечественных. [1]
Структура фильтра показана на рис. 02 - 3 - 2 а. Эталы ее построения даны укрупненно. [2]
Структуры фильтров ic несколькими преобразователями пригодны и для реализации нестшметричных частотных характери-спгк. Ны ( ш) и / / а2 ( со) будут чисто действительными, а импульсные характеристики - симметричными. Комбинируя формы АЧХ преобразователей и варьируя их центральные частоты, можно получить разнообразные результирующие характеристики. Так как ВШП с симметричным импульсным откликом имеют линейную ФЧХ, то и фильтр ПАВ в целом в этом случае будет обладать линейной фазой. [3]
![]() |
Двухзвенный фильтр защиты от радиопомех. [4] |
Выбор структуры фильтра на рис. 26.7 объясняется следующими соображениями. Токи несимметричной радиопомехи обычно занимают высокочастотный диапазон, а внутреннее комплексное сопротивление источника этого вида помехи, как правило, является высокоомным. Другими словами, к источнику несимметричной радиопомехи со стороны ФРП должен подключаться элемент схемы с низким сопротивлением - конденсатор. [5]
![]() |
Амплитудно-частотные характеристики фильтров фликерметров. 1 - из ГОСТ 13109 - 87. 2 - из. [6] |
В [5] структура фильтра получена на основе моделирования источников света, инерции и адаптации зрения, а допустимая доза определена по порогу заметности. [7]
Для определения структуры фильтра, положение пиков амплитудно-частотной характеристики которого зависит от коэффициентов Ki и Кг ( пиков на частотах аз. [8]
![]() |
Схема однонаправленного ответвителя ПАВ.| Схема преобразователя ПАВ с электродами, расположенными под углом а друг к другу. [9] |
Выполняют синтез структуры акустоэлектронного фильтра. [10]
Технология изготовления структур фильтров ПАВ сводится к формированию заданной конфигурации металлических электродов и контактных шин. Число преобразователей, размещенных на одном звукопроводе, может достигать шести. [11]
Для определения структуры фильтра Калмана - Бьюси рассмотрим сигнал y ( t) - x ( t) P ( /) как сигнал, измеряемый на выходе динамического звена. [12]
![]() |
Схема конструкции пластинчатого ЭМФ.| Частотная характеристика семизвенного ЭМФ пластинчатого типа. [13] |
На рис. 7.13 показаны структуры фильтров с использованием пьезорезонаторов и их эквивалентные схемы, соответствующие структуре цепочечных фильтров с обычными катушками индуктивности и конденсаторами. Как известно, полоса пропускания цепочечных фильтров определяется областью частот, в которой реактивные сопротивления Z ( последовательной цепи) и Zj ( параллельной цепи), будучи противоположны по зна. [14]
Заключительными операциями фотолитографического процесса изготовления структур фильтров ПАВ является удаление остатков фоторезиста, например, в гидрате окиси натрия или в органических растворителях, сушка звукопро-водов и контроль геометрических размеров. Удаление фоторезиста со звукопро-водов из германата висмута целесообразнее проводить плазмохимическим методом, например, на установке Плазма-600 или РПХО-ГбОВ. Последняя установка пригодна и для удаления резиста после операции ионного травления практически любых металлов. [15]