Структура - вычитание
Cтраница 1
Структуры вычитания, аналогичные № 2А1з, целесообразно рассматривать как основанные на простой кубической кладке соприкасающихся атомов большего размера ( А1); атомы меньшего размера ( Ni) находятся в части кубических пустот кладки. [1]
Структуры вычитания и внедрения: 1) упорядоченные, 2) неупорядоченные. [2]
Структуры вычитания открывают новую страницу физической химии полупроводников, хотя исследование этого рода явлений на полупроводниках началось еще 30 лет назад в работах Вагнера, Шотткн и их сотрудников. [3]
Структуры вычитания открывают новую страницу физической химии полупроводников. Исследование этого рода явлений на полупроводниках началось еще 30 лет назад в работах Вагнера, Шоттки и их сотрудников. [4]
Структуры вычитания делятся на односторонние и двусторонние. К двусторонним фазам вычитания относятся такие, в которых вакансии могут быть в обеих подрешеткзх, например оксид титана, сульфид свинца и др. Оксид титана изменяет состав в пределах области гомогенности от ТЮ0 7 до TiOi3. Нецелочпсленность индексов, например в составе TiO0 7, указывает на то, что на каждые 100 узлов, занятых в подрешетке титана, приходится 70 узлов, занятых в подрешетке кислорода и 30 незапятых. [5]
Структура вычитания ( рис. 71, е) характерна для фаз переменного состава. В или ABi y соединение АВ может кристаллизоваться так, что часть узлов в подрешетке компонента А или В либо одновременно в подрешетках обоих компонентов окажется незанятой. [6]
Возникают структуры вычитания и деления, картина осложняется. [7]
По [49], структуры вычитания делятся на односторонние и двусторонние. К односторонним относится, например, сульфид кадмия, в котором вакансии возникают только в подрешетке серы ( CdS. I) Си2 д О, в котором вакансии возникают только в подрешетке меди. К двусторонним фазам вычитания относятся такие, в которых вакансии могут быть в обеих подрешетках, например оксид титана, сульфид свинца и др. ( см. гл. Нецело-численность индексов, например в составе TiO0 7, указывает на то, что на каждые 100 узлов, занятых в подрешетке титана, приходится 70 узлов, занятых в подрешетке кислорода и 30 незанятых. [8]
Недостаток атомов одного сорта в кристаллах АВ обычно обусловливается структурой вычитания. [9]
В случаях 2 и 3 вакансии, возникшие в структурах вычитания, влияют на плотности с и ах, снижая их, поскольку изменяют химический состав в сторону уменьшения формульного веса. [10]
 |
Зависимость смещения края полосы поглощения Хгр от концентрации ( CdO n в CdS ( СсЮ я по.| Ход периодов идентич-ности с и а для CdS ( СсЮ в зависимости от концентрации оксида по. [11] |
С образованием структур внедрения период идентичности растет, с образованием структур вычитания - уменьшается. [12]
Недостаток SITOMOB одного сорта в кристаллах ABi x обычно обусловливается структурой вычитания. Однако это всегда требует доказательства, так как не полностью исключена возможность структуры внедрения А в решетку АВ. [13]
В случаях 2) и 3) вакансии, возникшие в структурах вычитания, влияют на плотности зк и ах, снижая их, поскольку изменяют химический состав в сторону уменьшения формульного веса. [14]
При этом были введены формулы типа PbS /, CdS /, Cu для структур вычитания, где х - дробь. [15]
Страницы: 1 2 3