Структура - вычитание
Cтраница 3
Как известно, специфической особенностью полупроводников является их огромная чувствительность к примесям. Гораздо менее известна чувствительность полупроводников к изменению собственного состава с образованием структур вычитания; эта чувствительность чрезвычайно велика и составляет новую главу химии. Вакансия в этом свете выступает не как дырка, заполненная вакуумом ( как ее понимал Я. И. Френкель, описывая механизм возникновения, например, тепловых вакансий), а как активный элемент структуры кристалла. [31]
Как известно, специфической особенностью полупроводников является их огромная чувствительность к примесям. Гораздо менее известна чувствительность полупроводников к изменению собственного состава с образованием структур вычитания; эта чувствительность чрезвычайно велика и составляет новую главу химии. Вакансия в этом свете выступает не как дырка, заполненная вакуумом ( как ее понимал Я - И. [32]
SAIB SB C А1В12 с CjBu образует соединение указанного выше ориентировочного состава. Наблюдается тетрагональная ячейка с а 10, 28; с 14, 30 А; Z196 атомов ( вместо 208), 12 узлов свободны ( структура вычитания или деления. [33]
По-видимому, в структурах деления тот же эффект достигается за счет твердых растворов вакансий. Так как обнаружены еще твердые растворы замещения типа Ga2Se3 - Ga2Te3, Ga Te3 - In2Te3 и др. и подлежит изучению возможность возникновения в таких системах структур вычитания, то исследование этих объектов представляет тем больший интерес. [34]
Различаются три типа структур твердых растворов ( XI § 3 доп. Если исходить из пространственной решетки вещества А, то обмен в ней некоторого числа частиц А на равное число частиц Б приводит к образованию структуры замещения, обмен на меньшее число частиц Б - структуры вычитания, а дополнительное внедрение частиц Б в решетку А - структуры внедрения. Реже всего встречаются твердые растворы вычитания ( которые иногда рассматривают как частный случай структур внедрения), чаще всего - замещения. [35]
Различаются три типа структур твердых растворов ( XI § 3 доп. Если исходить из пространственной решетки вещества А, то обмен в ней некоторого числа частиц А на равное число частиц Б приводит к образованию структуры замещения, обмен на меньшее число частиц Б - структуры вычитания, а дополнительное внедрение частиц Б в решетку А - структуры внедрения. [36]
Структура деления возникает, когда в одной из подрешеток соединения постоянного состава больше узлов, чем соответствующих атомов в формуле соединения. Атомы в подрешетке распределяются статистически между большим числом узлов. Структура имеет постоянный состав, но отличается от структуры вычитания. [37]
Вакансии могут быть связанными с зарядом и несвязанными. Не связаны с зарядом ( хотя и влияют на распределение электронного облака) вакансии в структурах разрыхления и деления. Когда в решетке растворяются нейтральные атомы А ( или В) с образованием структур вычитания пли внедрения, эти атомы приобретают заряд. [38]
В частности, весьма полезным оказывается сравнение пикнометриче-ской и так называемой рентгеновской плотности кристаллов. Объем элементарной ячейки Уя и число частиц п в ней определяются рентгенографически; А - атомный или формульный вес соединения по простейшей стехиометрической формуле; NА - число Авогадро. Если образуется фаза внедрения, то пикнометрическая плотность оказывается больше рентгеновской; если образуется структура вычитания, то, наоборот, рентгеновская плотность больше пикнометрической. [39]
В частности, весьма полезным оказывается сравнение пикнометрической и так называемой рентгеновской плотности кристаллов. Объем элементарной ячейки i t и число частиц п L ней определяются рентгенографически; А - атомная пли формульная масса соединения по простейшей стехиометрической формуле; Л Л - постоянная Лзо-гадро. Если образуется фаза внедрения, то пикнометрн-ческая плотность оказывается больше рентгеновской; если образуется структура вычитания, то, наоборот, рентгеновская плотность больше пикнометрической. [40]
Вакансии могут быть связанными с зарядом и несвязанными. Не связаны с зарядом ( хотя и влияют на распределение электронного облака) вакансии в структурах разрыхления и деления. Когда же в решетке растворяются нейтральные атомы А ( или В) с образованием структур вычитания или внедрения, эти атомы приобретают заряд. [41]
Знание физической хшши позволяет использовать ее закономерности для синтеза полупроводников с заданными свойствами. Являясь в большинстве случаев соединениями переменного состава, полупроводники обусловливают бивариантный характер равновесия, что приводит к необходимости регламентировать условия синтеза как по температуре, так и по давлению. При этом возникают полупроводники с донорными или акцепторными уровнями не только за счет примесей, как обычно рассматривается в физике полупроводников, но и за счет незанятых атомами узлов решетки, вакансий, связанных с размазанным в решетке зарядом. Ничтожные концентрации вакансий, например в структурах вычитания, изменяют электропроводность на много порядков и резко влияют на другие полупроводниковые свойства веществ. Существуют и многие другие физико-химические задачи в этой области, на которых мы остановимся ниже. [42]
 |
Установка для синтеза сульфидов кадмия по. [43] |
Некоторые результаты представлены на рис. VIII. Из графика lg PB / Oga) видно, что в пределах области гомогенности сульфид кадмия вюрцитной модификации, обработанный сперва при низких давлениях пара серы, а затем под давлением пара кадмия ( сравни стадию А, рис. VIII. Результаты довольно хорошо воспроизводятся. Из графика о Hg PB, ( 1000 / T1) ] следует, что ход кривых электропроводности закономерно смещается в соответствии с теоретическим ожиданием и, таким образом, теория зависимости свойств полупроводника ( со структурой вычитания) от термодинамических условий синтеза позволяет не только интерпретировать, но и предвидеть поведение полупроводников этого типа. [44]
Страницы: 1 2 3