Структура - вычитание
Cтраница 2
Вопрос о возможности образования тепловых вакансий ( структуры разрыхления) или связанных с зарядом ( структуры вычитания) требует термодинамического расчета. [16]
Вопрос о возможности образования тепловых вакансий ( структуры разрыхления) или связанных с зарядом ( структуры вычитания) требует термодинамического расчета. С нагреванием, как это описывал Я. И. Френкель, вакуум растворяется в решетке кристалла, образуя вакансии, причем последние не связаны с зарядами, донорные и акцепторные уровни при этом не возникают. [17]
Изоморфное замещение с изменением числа атомов в структуре ( с образованием дефектных структур, в частности структур вычитания) также широко распространено в минералах, особенно среди сульфидов. Весьма важной характеристикой является степень совершенства И. Решающее значение при этом имеет выявление и правильная интерпретация факторов ( критериев) изоморфного взаимного замещения атомов в кристаллах. [18]
 |
Нестехиометрические окислы и халькогениды. [19] |
В структуре могут отсутствовать ионы того или иного вида или одновременно обоих видов в неравных и переменных количествах - структура вычитания. [20]
Поскольку имеет место на практике первый вариант ( в случае, например, сульфида кадмия), пока представляется разумным механизм структуры вычитания. [21]
Особенно интересный случай возникает, когда электронный и дырочный полупроводник имеют разные соотношения чисел атомов металла и неметалла, являясь в то же время структурами вычитания. Тогда имеет место суперпозиция структуры вычитания, замещения и деления. [22]
Особенно интересный случай возникает, когда электронный и дырочный полупроводник имеют разные соотношения чисел атомов металла и неметалла, являясь в то же время структурами вычитания. Тогда имеет место суперпозиция структуры вычитания, замещения и деления. [23]
Из соединения стехиометрического состава удаляются одновременно два сер - а атомов А и В, но в разных соотношениях. Основой процесса являемся образование структуры вычитания, которое дополняется разрыхлением решетки за счет удаления атомов А и В из обеих подрешеток в разных соотношениях. [24]
Особенно интересный случай возникает, когда электронный и дырочный полупроводник имеют разные соотношения чисел атомов металла и неметалла, являясь в то же время структурами вычитания. Тогда имеет место суперпозиция структуры вычитания, замещения и деления. [25]
При этом возникают полупроводники с донорными и акцепторными уровнями не только за счет примесей, как обычно рассматривается в физике полупроводников, но и за счет незанятых атомами узлов решетки, вакансий, связанных с размазанным в решетке зарядом. Ничтожные концентрации вакансий, например в структурах вычитания, изменяют электропроводность на много порядков и резко влияют на другие полупроводниковые свой ства веществ. Существуют и многие другие физико-химические задачи в этой области. [26]
Если в кристалле, например TiOj v ( структура вычитания), часть узлов подрегаетки кислорода не занята за недостатком кислорода в веществе, это естественный результат нехватки атомов. Если в Ga2Se3, а точнее в Ga0e67 [ ] 0 ззз е ( структура деления), 667 атомов Ga должны статистически распределяться по 1000 мест, это столь же естественно, поскольку кристалл имеет структуру типа сфалерита и атомов металла нехватает. Но если соединение Ti с О, имеющее точный состав TiO и кристаллизующееся в структуре NaCl ( где оно может полностью обеспечить атомами все узлы решетки), вместо того, чтобы занять все узлы, занимает только 85 % их в каждой из подрешеток, то это требует серьезного анализа, ибо теория решетки неизменно исходит из моделей, в которых увеличение среднего расстояния между ионами или атомами за счет незанятых узлов значительно ослабляет химические связи, а значит, энергию решетки U или энергию атомизации Q и термодинамически невыгодно. [27]
 |
Структуры шпинели и антишпинели. [28] |
О), а 8 переходят в тетраэдрические междуузлия. Таким образом возникает структура Д МУ С М3О4, структура вычитания и деления. [29]
Если ширина области гомогенности достаточно велика, выбор между двумя механизмами решается, например, определением пикно-метрической тя и рентгеновской ах плотности. С образованием структур внедрения период идентичности растет, с образованием структур вычитания - уменьшается. [30]
Страницы: 1 2 3