Кремниевая структура
Cтраница 1
 |
Управление тиристором. [1] |
Кремниевая структура защищена металлическим кожухом 5 цилиндрической формы. Резьбу в основании / используют для установки тиристора и для присоединения к положительному полюсу источника анодного напряжения. [2]
Попытки использования кремниевых структур для реализации микросхем СВЧ не привели к положительным результатам вследствие того, что удельное сопротивление подложек полуизолирующего кремния составляет не более 104 Ом-см и в сформированных на них согласующих цепях в диапазоне СВЧ имеют место слишком большие потери. [3]
Ионная имплантация кремниевых структур приводит к появлению дополнительной пористости оксидной пленки [53, 195, 196] и делает границу раздела доступной для проникновения достаточно больших по размерам атомов и молекул. [4]
Применение эпитаксиалышх кремниевых структур для изго - товления интегральных схем и СВЧ планарных транзисторов предъявляет жесткие требования к таким параметрам эпитаксиальных слоев, как толщина слоя и его удельное сопротивление. Слои должны иметь равномерную по всей площади толщину и однородное сопротивление. Имеется ряд работ [3 - 5], в которых предлагаются методы расчета скорости роста вдоль и поперек реактора с учетом газодинамических, тепловых и геометрических параметров системы для некоторых конкретных случаев. [5]
При диаметрах кремниевых структур тиристоров до 12 - 16 мм они часто напаиваются на вольфрамовые или молибденовые термокомпенсаторы. При этом термокомпенсаторы с отверстием под управляющий электрод напаиваются также и на металлизацию катодного слоя ОТ. При диаметрах структур свыше 12 - 16 мм они обычно со стороны анодного слоя сплавляются с термокомпенсаторами при помощи алюминиевой ( или силуминовой) фольги. При сборке тиристорных структур в корпуса они в этом случае имеют прижимные контакты к катодным слоям. [6]
Основу тиристоров составляет кремниевая структура типа р-п-р-п, которая вмонтирована в герметичный металлический корпус, имеющий на наружных деталях антикоррозийное покрытие для защиты от воздействия окружающей среды. [7]
 |
Распределение концентрации примесей в слоях диффузионного транзистора.| Распределение примесей в слоях диффузионного транзистора с эпитаксиальным коллектором. [8] |
В этом случае используется кремниевая структура в форме диска, на периферии которой, как в силовых диодах, выполняется фаска, снижающая вероятность развития поверхностного пробоя коллекторного перехода. [9]
В его основе лежит кремниевая структура ( см. рис. 6.6, заимствованный из статьи [247]), верхним слоем которой служила окись кремния ( SiO2) толщиной в несколько нанометров; затем следует тонкий слой бесспинового изотопа кремния 28Si, в который внедрены донорные атомы стабильного изотопа фосфора 31Р, замещающие атомы 28Si в узлах кристаллической решетки. Атомы фосфора 31Р обладают ядерным спином / 1 / 2, взаимодействующим с ядерными спинами ближайших атомов фосфора благодаря сверхтонкому взаимодействию с электронами этих соседей из-за перекрывания электронных волновых функций различных доноров. Ядерные спины этих донорных атомов в такой структуре выполняют роль кубитов. Набор этих затворов образует линейную решетку, причем каждый из затворов служит для индивидуального управления резонансной ядерной частотой кубитов. [10]
Очень большой интерес к кремниевым структурам, создаваемым этим методом, проявляет и современная сенсорная техника. Уже сегодня с использованием метода прямого соединения пластин создаются прецизионные датчики давления, способные работать до температуры 350 С, микромеханические датчики и ряд других уникальных приборов. [11]
Для определения фосфора в кремниевых структурах и пленках предложен атомно-абсорбционный метод. Концентрация фосфора находилась с помощью атомно-абсорб-ционного спектрофотометра фирмы Перкин - Элмер, модель 303 по поглощению излучения молибдена при распылении органического экстракта в пламя воздух - ацетилен и закись азота - ацетилен. [12]
 |
Значения токов и напряжений цепи управления тиристоров. [13] |
Для того чтобы не повредить кремниевой структуры, параметры управляющего сигнала должны находиться ниже и левее кривых 1, 2, 3 и 4 при данной относительной длительности сигнала в цепи управления. Вместе с тем значения тока и напряжения управления должны быть выше некоторых минимальных значений. Эти минимальные граничные значения показаны на рисунке в левой нижней части. [14]
 |
Значения токов и напряжений цепи управления тиристоров. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5