Кремниевая структура

Cтраница 2

Для того, чтобы не повредить кремниевой структуры, параметры управляющего сигнала должны находиться ниже и левее кривых 1, 2, 3 и 4 при данной относительной длительности сигнала в цепи управления. Вместе с тем значения тока и напряжения управления должны быть выше некоторых минимальных значений. Эти минимальные граничные значения показаны на рисунке в левой нижней части. [16]

Зависимость а от тока эмиттера для различных кремниевых структур показана на рис. XI.9 заштрихованной областью: Такой ход зависимости а ( г) можно объяснить наличием в области базы рекомбинационных ловушек, которые являются активными при малых токах, а с увеличением плотности тока заполняются и перестают быть активными. [17]

Экспериментальные ( точки и теоретические ( линии зависимости фотоемкостного эффекта от темпа фото-генерации электронно-дырочных пар в полупроводнике GL ( кремний ге-типа.| Температурные зависимости фотоемкостного эффекта при различных интенсивностях фотовозбуждения GL и различных режимах низкотемпературных термообработок. / - GL 1 5 10. 2 - 1 7 10. [18]

Результаты подобных сопоставлений показывают, что по реком-бинационным свойствам термически окисленные кремниевые структуры МДП можно условно разбить на два типа. На структурах первого типа определяющими оказываются объемные рекомбинацион-ные механизмы: при небольших интенсивностях света доминирует рекомбинация в ОПЗ, при больших - рекомбинация в квазинейтральной области. Наоборот, на образцах второго типа существенное влияние на ФЕ оказывает поверхностная рекомбинация. [19]

Структурная схема установки для регистрации инфракрасного излучения из структуры. [20]

Для одновременного наблюдения интенсивности рекомбинационного излучения из различных участков кремниевой структуры используются электронно-оптические преобразователи ЭОП. Ре-комбинационное излучение преобразуется в ЭОП в электрический сигнал, усиливается, преобразуется в видимый свет и попадает на фотопленку. Каждый участок фотопленки соответствует определенному участку полупроводниковой структуры. [21]

Схема автоматического контроля с использованием проникающей способности радиоактивного излучения.| Схема автоматического контроля с использованием явления рассеянного излучения. Обозначения аналогичны 5 - 45. [22]

Эти приборы строятся как на четырех-слойных, так и на пятислойных кремниевых структурах. Благодаря своим высоким коммутационным свойствам динисторы, тиристоры и другие полупроводниковые многослойные переключатели находят все большее распространение в схемах устройств автоматики ( в особенности для управления электроприводом), в преобразовательной технике и во многих других областях техники. [23]

Физически это означает, что генерационно-активные поверхностные и объемные центры в кремниевых структурах МДП не лежат точно в середине запрещенной зоны. [24]

В гибридных матрицах детектор и устройство считывания сигнала, выполненное на основе кремниевой структуры, изготовлены отдельно друг от друга и затем собраны вместе. [25]

Это объясняется тем, что параметры р - n - переходов неидентичны, а геометрическая симметрия кремниевой структуры нарушается в процессе изготовления. Симметричный тиристор отпирается при определенном сигнале ивкл на управляющем электроде, отличном от нуля. При увеличении тока управляющего электрода / упр вольт-амперная характеристика видоизменяется, и, когда этот ток достигнет величины, называемой током включения / ВКл, характеристика по своей форме приближается к прямой ветви обычного диода. [26]

Описанные в нем методы послойного стравливания использованы при послойном атомно-абсорбционном определении Р, Sb и As в кремниевых структурах и пленках. [27]

Полупроводниковые приборы с четырехслойной р-п-р-п структурой изготавливаются из кремния, что обусловлено, во-первых, сильной зависимостью в кремниевой структуре коэффициентов а от протекающего тока, во-вторых, возможностью получить р-п переходы на более высокие пробивные напряжения по сравнению с германиевыми структурами и, в-третьих, более высокой допустимой рабочей температурой. [28]

Обратный ток электронно-дырочного перехода, как было показано в § 1.2 и 1.3, состоит из диффузионной и генерационной составляющих, причем для кремниевых структур генерационная составляющая намного больше диффузионной. Обе составляющие обратного тока согласно (1.42) экспоненциально растут с температурой, однако диффузионная возрастает намного быстрее генерационной. Поэтому при высоких температурах диффузионная составляющая может стать сравнимой с генерационной. Но максимально допустимые значения рабочих температур кремниевых силовых диодов не превышают 140 - 200 С. Вплоть до этих температур генерационная составляющая обратного тока, как правило, преобладает над диффузионной. [29]

Графики зависимости остаточного напряжения на образце от температуры при / а const ( Wn0 4 мм. тр 12 икс.| График зависимости температуры шнурования от отношения Vn / Lp 1 рИ / а. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5