Кремниевая структура
Cтраница 4
 |
Молекулярный трехкаскадный усилитель постоянного тока.| Четырехслойная структура интегральной схемы. [46] |
Объем его составляет 1 3 - 10 3 см. при усилении порядка 60 дб. Основанием для интегральной схемы другой конструкции служит четырехслойная кремниевая структура ( рис. 11.12), созданная методом тройной диффузии. [47]
Для определения поверхностных и объемных генерационных параметров необходимо выделить из экспериментально определяемого общего темпа генерации G поверхностную GS и объемную Gy составляющие. В связи с этим разделение Gs и Gy в кремниевых структурах МДП производится обычно в предположении, что темп объемной генерации GV пропорционален глубине генерационно-активной истощенной области, а локальные генерационные характеристики не зависят от координаты рассматриваемого элементарного объема в пределах неравновесной ОПЗ. Однако при этом возникает необходимость в уточнении самого понятия глубины генерационно-активной истощенной области. [48]
В качестве термокомпенсаторов в силовых диодах используются диски из вольфрама или молибдена, коэффициенты линейного расширения которых близки к коэффициенту линейного расширения кремния. Однако несмотря на это из-за разности температур и неоднородного нагрева кремниевых структур и термокомпенсаторов в период протекания ударных токов структуры подвергаются воздействию больших механических напряжений. Особенно опасных значений эти напряжения достигают в структурах с напаянными с двух сторон термокомпенсаторами. Поэтому в новых разработках паяные контакты применяют при диаметрах структур, как правило, не более 10 - 12 мм. [49]
Расчетное значение UTM определяют следующим образом. При выбранном dB B и, следовательно, известном значении Sam кремниевой структуры по ( 13 17) рассчитывают JTM, соответствующее заданному значению максимально допустимого среднего тока в открытом состоянии ITAV. Затем по рис. 13.10 определяют значение UTM, которое с учетом падений на контактах следует увеличить примерно на 0 05 В. [50]
Одновременно при уменьшении размеров элементов, а следовательно и управляющих транзисторов, напряжение на них уменьшается. С другой стороны, уменьшение размеров элементов ведет к более эффективному использованию площади кремниевой структуры. Следовательно, существует некоторый оптимум по геометрическим размерам. При d - 0 62 мкм ( Aete 0 155 мкм) оптимальными размерами перфорации являются 25X25 мкм при периоде 41 мкм. [51]
Было установлено, что диоды типа ВЛ-200 6 кл работают длительное время нормально с переходом в режим лавинообразования в моменты восстановления обратного сопротивления при частоте 1000 гц и скорости спада прямого тока 5 - 6 а / мксек. При этом требуется снижать среднее значение прямого тока до такой величины, при которой суммарные потери энергии в кремниевой структуре не превышают допустимого значения. При скорости спада прямого тока диодов ВЛ-200, большей 5 а / мксек, и более высоких напряжениях лавинообразования требуется подбор вентилей по времени выключения обратного тока и обязательная проверка их по импульсному значению мощности, рассеиваемой в кремниевой структуре в процессе лавинообразования. [52]
Расчет ударных токов в открытом1 состоянии ITSM, как и в случае диодов, проводится с помощью ЭВМ. А / см2 при толщине кремниевой структуры 0 4 мм и уменьшается до JTSM 1 кА / см2 при толщине кремниевой структуры около 0 8 мм. [53]
Расчет ударных неповторяющихся прямых токов диодов IFSM проводится с помощью ЭВМ и здесь не рассматривается. Заметим, что из практических данных следует, что плотность ударного прямого тока для диодов составляет примерно 2 кА / см2 при толщине кремниевой структуры 0 3 мм и уменьшается приближенно до 1 2 кА / см2 с ростом толщины кремниевой структуры до 0 75 - 0 8 мм. [54]
Экспериментальные исследования температурных зависимостей темпа генерации, проведенные различными авторами на кремниевых МДП структурах, показали, что как объемная, так и поверхностная биполярная генерация на истощенной поверхности определяется достаточно глубокими генерационными центрами, локализованными вблизи середины запрещенной зоны. В качестве примера на рис. 5.11 показаны температурные зависимости характеристического времени t0, соответствующего окончанию релаксационного процесса после приложения импульса истощающего напряжения, измеренные на кремниевых структурах МДП. [55]
 |
Операционный усилитель К. Р1407УД1. [56] |
Улучшения скоростных свойств микромощных ОУ можно добиться за счет совершенствования технологии, позволяющей формировать высокочастотные вертикальные р-п - р транзисторы совместно с n - p - п транзисторами на кремниевых структурах с диэлектрической изоляцией. Так, ОУ 154УД1 построен на комплементарных транзисторах с коллекторными областями, созданными методами ионного легирования и дополнительной диффузии. [57]
Расчет ударных неповторяющихся прямых токов диодов IFSM проводится с помощью ЭВМ и здесь не рассматривается. Заметим, что из практических данных следует, что плотность ударного прямого тока для диодов составляет примерно 2 кА / см2 при толщине кремниевой структуры 0 3 мм и уменьшается приближенно до 1 2 кА / см2 с ростом толщины кремниевой структуры до 0 75 - 0 8 мм. [58]
В рассматриваемом нами примере, принимая рп80 Ом-см, получаем W0n 210 мкм. Общая толщина кремниевой структуры равна при этом 490 мкм. [59]
На рис. 16 приведена топограмма кремниевой пластины, покрытой серебряной пленкой, снятая в условиях кинематического контраста. В пленке есть пузырьки слабой адгезии, дающие на рентгеновской топограм-ме два полукруга с линией нулевого контраста, нормальной к направлению вектора обратной решетки. На рис. 17 показана топограмма кремниевой структуры с молибденовой пленкой, в которой есть треугольные окна. Эта картина получена в условиях динамического контраста, который более предпочтителен для выявления градиента напряжений от краев окна. Знак напряжения может быть определен посредством следующего правила контраста: топограмма в отраженном пучке показывает избыточную интенсивность в том участке, где g направлен в центр кривизны локально искривленных брэгговских отражающих плоскостей; недостаточная интенсивность имеет место там, где вектор g направлен на вогнутую сторону локально искривленных плоскостей. Окно в пленке, показанное на рис. 17, находящееся под действием растягивающего напряжения, передает сжимающее усилие подложке, и контур окна на топограмме характеризуется избыточной интенсивностью на стороне положительного направления вектора g, и наоборот. Вышеупомянутое правило контраста аналогично правилу Эшби - Брауна для дифракционного контраста в просвечивающей электронной микроскопии. Однако, когда производится сравнение рентгеновских топограмм и топограмм электронной микроскопии, следует иметь в виду, что принято изготавливать рентгеновские топограммы в виде негативов, а топограммы электронной микроскопии в виде позитивов. Требуется мысленная трансформация черно-белого контраста в этих двух случаях. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5