Рассматриваемая структура

Cтраница 1

Рассматриваемая структура приведена на рис. 11.17. Когда при разомкнутой цепи управления на электроды А и К подается напряжение указанной на рисунке полярности, переходы / 2 и / 4 смещены в прямом направлении, а переходы j и / 3 - в обратном. [1]

Кристаллическая структура Сг3С2. Атомы Сг ( О расположены в углах, а атомы С ( о - в центрах тригональных призм. [2]

Рассматриваемые структуры являются первыми известными нитридными структурами, в которых расстояние N-N достаточно мало для образования ковалентной связи. [3]

Рассматриваемая структура лежит в основе одного из важнейших направлений микроэлектроники - микроэлектроники МДП-структур, в которых в качестве диэлектрических слоев используют тонкие слои изоляционных материалов, наносимых на полупроводник тем или другим способом. [4]

Рассматриваемая структура не содержит дублирования признаков. Коды объектов, показателей и временных периодов повторяются только один раз, а значение, характеризуемое этими тремя критериями, лежит на их пересечении. [5]

Гомометрическая пара одномерных структур из четырех атомов.| Гомометрическая пара двухмерных структур. [6]

Рассматриваемые структуры не имеют центров инверсии. [7]

Рассматриваемая структура сети сбора и передачи информации содержит как электронные, так и электромеханические блоки, которые выходят из строя и подлежат восстановлению. Выход из строя элементов сети оказывает влияние на продвижение сообщений по сети. Для моделирования сети достаточно использовать функцию распределения длительности работы узла сети до первого отказа и функцию восстановления отказавшего узла сети. [8]

Если рассматриваемая структура полна, то для функции f существует не более одной несмещенной оценки. Если структура неполна, то все несмещенные оценки функции f получаются прибавлением к несмещенной оценке, если таковая существует, любой статистики со значениями в ( Rft, Rk) и центрированными компонентами. [9]

Плоский разветвленный волновод. [10]

Поскольку рассматриваемая структура однородна в направлении у, рассеянное поле состоит лишь из волн типа ТЕ. [11]

Поскольку рассматриваемая структура частично заполненного волновода представляет интерес при использовании на повышенных уровнях мощности, представляется целесообразным рассчитать распределение потока мощности по поперечному сечению. [12]

Характер рассматриваемой структуры определяет значения амплитуд и фаз отдельных синусоидальных членов ряда. Таким образом, дифракцию на сложной структуре можно рассчитать путем рассмотрения дифракции на каждой отдельной компоненте разложения Фурье этой структуры. Так как периоды синусоидальных структур различны, то и углы дифракции соответствующих максимумов первого порядка будут различны, и в совокупности получится полная дифракционная картина всей структуры. С этой точки зрения максимумы высших порядков обычной дифракционной решетки суть максимумы первого порядка соответствующей ей синусоидальной слагающей. Таким образом, для изученной нами одномерной решетки ( решетка с коэффициентом пропускания, меняющимся только вдоль одной координаты) мы с помощью этого более общего способа рассмотрения получаем согласный с опытом результат. [14]

Из рассматриваемой структуры вытекает правило, которое справедливо для схем любой сложности. Его применение не вызывает каких-либо затруднений, так же как и применение правила получения матрицы узловых проводимостей. Согласно этим правилам матрицы в обоих случаях составляются непосредственно по схеме замещения электрической сети и ее направленному графу. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5