Рассматриваемая структура

Cтраница 4

Следует отметить, что рассматриваемая структура матрицы А возникает во многих эллиптических задачах математической физики при редукции их к конечно-разностным. [46]

Такие материалы отличаются от рассматриваемой структуры с равномерным распределением волокон во всех трех направлениях. [47]

Отмеченная асимметрия в строении рассматриваемой структуры отчетливо проявлена южнее с. Абдулкасимово, где хорошо обнажены отложения нижней части разреза суванякского комплекса, слагающие ядро Барангуловской антиклинали. [48]

При этом степень нерегулярности рассматриваемой структуры ограничивается возможностями теории в плане учета многочастичных взаимодействий и корреляций. Существующие в настоящее время методы позволяют надежно учитывать двухчастичные корреляции, учет уже трех -, четырехчастичных корреляций связан с привлечением существенных упрощающих предположений о структуре среды. При дальнейшем увеличении степени наполнения материала следует учитывать явления, обусловленные коллективным поведением частиц наполнителя. [49]

Последовательно выполняя принцип усложнения рассматриваемых структур, переходим к анализу пористых случайно - неоднородных композиционных материалов. Другим компонентом являются межчастичные поры. [50]

Несмотря на внешнюю простоту рассматриваемых структур, еле дует помнить, что отдельные атомы, образующие различные молекулы, имеют приблизительно сферическую форму и поэтому поверхность туннелей, клеток и слоев отнюдь не является гладкой и ровной, а всегда обнаруживает регулярно чередующиеся неправильности. Дополнительное осложнение возникает для цеолитов и глин в связи с тем, что клатратообразование в этом случае иногда сопровождается явлениями адсорбции на поверхности. [51]

К полупроводникам, образующим рассматриваемую структуру, допустимо применение классической статистики Максвелла - Больцмана. [52]

Таким образом доказывается, что рассматриваемая структура отвечает принципу электронейтральности. [53]

При работе в режиме коррекции рассматриваемая структура представляет собой параметрическое корректирующее устройство параллельного типа с управлением в контуре автокоррекции по выходному сигналу. [54]

Оптимизированные по ширине полосы проявления эффекта незеркального отражения Н - ( а - г - и. - поляризоваииы. х ( д, е волн ( 2Ksiti ( p 1. [55]

Наряду с широкополосным проявлением ПАО рассматриваемая структура обладает возможностью реализации данного эффекта и в узкой полосе изменения различных параметров. [56]

Отметим, что в регуляторах рассматриваемой структуры позиционеры я первичные преобразователи основаны на одинаковом принципе действия ( на принципе уравновешивания сил) и аналогичны преобразователю фирмы Маннинг, Максвелл и Мур. Различные фирмы предусматривают также преобразователи, преобразующие величину температуры, измеренную при помощи термопары или термометра сопротивления, в величину постоя. Такие преобразователи более сложны. Из-за ограниченного объема книги их описание не помещено. [57]

Наконец, интересуясь явным видом рассматриваемой структуры, можно сказать, что ионы натрия сами по себе и ионы хлора сами по себе образуют гранецентрированную кубическую решетку. [58]

Следовательно, и в СП рассматриваемой структуры невозможно существование предельных циклов. [59]

Частотная зависимость коэффициента замедления в рассматриваемой структуре более сильная, чем в двух предыдущих. При больших заполнениях ( t / a O 7Q) частотная зависимость коэффициента замедления слабая, так как большая часть энергии передается по диэлектрику. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5