Рассматриваемая структура

Cтраница 3

Существенной особенностью рассматриваемой структуры является неравномерное распределение примесей в области базы и возможность создания гонкой ( порядка единиц микрометров) базовой области. Благодаря этому в базе создается ускоряющее поле и время движения неосновных носителей зарядов через базу к коллектору уменьшается, что позволяет создавать транзисторы, работающие на частотах до 1 ГГц и более. [31]

Из двух рассматриваемых структур циклическую систему А содержит последняя. [32]

Условное схематическое изображение светодиода ( а и спектральные характеристики. [33]

Средняя часть рассматриваемых структур называется базой, одна крайняя область - коллектором, а другая - эмиттером. [34]

Существенной особенностью рассматриваемой структуры является неравномерное распределение примесей в области базы и возможность создания тонкой ( порядка единиц микрометров) базовой области. Благодаря этому в базе создается ускоряющее поле и время движения неосновных носителей зарядов через базу к коллектору уменьшается, что позволяет создавать транзисторы, работающие на частотах до 1 ГГц и более. [35]

Во всех рассматриваемых структурах молибден-кислородные и вольфрам-кислородные октаэдры имеют однотипные линейные и угловые искажения. Как было показано [1], сущест-VI вует три типа искажений, характерных для октаэдрических ролиэдров молибдена: с одной укороченной связью Мо-О, двумя такими связями и с тремя такими связями всегда в цис - Ло положении друг к другу. В описываемых здесь структурах i октаэдры относятся ко второму типу. [36]

Отметим, что рассматриваемая структура является полупрямым произведением структур. Критерий из приведенного примера иногда называют тестом однородности средних или тестом однофакторного анализа. [37]

Кроме того, рассматриваемая структура Л У позволяет несколько сократить аппаратурные затраты по сравнению с указанными типами Л У за счет исключения цепей одинакового назначения в различных регистрах. Такое исключение имеет и отрицательные последствия, которые прежде всего проявляются в невозможности совмещения во времени выполнения отдельных микроопераций. У такого типа состоит из п регистров, где п-число микроопераций, необходимое для выполнения любой операции из заданного набора. Каждый регистр имеет все необходимые цепи для выполнения любой микрооперации. Микрооперации выполняются при передачах информации с регистра на регистр под воздействием синхронизирующих сигналов СС. Состав микроопераций подбирается таким образом, чтобы при их выполнении взаимодействовали только соседние разряды каждого регистра. При этом передача цифр из данного разряда может осуществляться только в соседние разряды соседнего регистра. После выполнения всех п микроопераций, то есть после выполнения данной операции, результат с последнего регистра RGnAy передается в память. [38]

Таким образом, рассматриваемая структура отвечает принципу электронейтральности. [39]

Кубическое объемное центрированное расположение атомов в кристаллах лития и других металлов. [40]

Таким образом, рассматриваемая структура кристалла лития до некоторой степени сходна со структурой диборана ( раздел 32) с резонансом одно - и двухэлектронных связей. [41]

Различие дифференциальной пористости рассматриваемых структур обусловлено присутствием в гидратированном портландцементе крупнокристаллических продуктов гидратации - гидросульфоалюминатов, гидроалюминатов кальция, активно перекрывающих межзерновое пространство и при равном объеме гидратной фазы обеспечивающих существенное перераспределение перового пространства по размерам пор, снижение объемов капиллярных пор. [42]

Распределение примесей в структуре, полученной с помощью тройной односторонней диффузии. [43]

Необходимость проведения в рассматриваемой структуре трех диффузионных процессов с одной стороны пластины затрудняет получение в этих приборах высоких предельных частот. Реально в транзисторах, полученных с помощью тройной односторонней диффузии, можно обеспечить предельную частоту / т порядка 5 - 10 Мги. [44]

Большое разнообразие в рассматриваемых структурах углерода порождается значительной подвижностью слоев атомов углерода, что, в свою очередь, обусловлено малыми силами взаимодействия между слоями. Пинс-кер [45, 46], исследуя слоистые кристаллы, отметил, что подобный тип полиморфизма присущ не только графиту, но и вообще характерен для слоистых структур. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5