Cтраница 2
Тиристоры кремниевые диффузионные структуры р-п-р-п триодные незапираемые импульсные. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Охлаждение естественное или принудительное. Тип тиристора приводится на корпусе. [16]
Тиристоры кремниевые диффузионные структуры р-п-р-п триодные незапираемые импульсные высокочастотные. Выпускаются в ме-таллостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип тиристора приводится на корпусе. [17]
Тиристоры кремниевые диффузионные структуры р-п-р-п триодные незапираемые импульсные высокочастотные. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в устройствах формирования мощных импульсов. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип тиристора приводится на корпусе. [18]
Тиристоры кремниевые диффузионные структуры р-п-р-п триодные импульсные быстродействующие незапираемые. Предназначены для применения в мощных импульсных модуляторах и других устройствах формирующих короткие мощные импульсы. Выпускаются в металлостеклянном корпусе фланцевой конструкции с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. [19]
Тиристоры кремниевые диффузионные структуры р-п-р-п триодные импульсные незапираемые. Предназначены для применения в мощных высоковольтных импульсных модуляторах и других устройствах, формирующих короткие мощные импульсы. Выпускаются в металлокерамическом корпусе таблеточной конструкции. Анодом и катодом служат плоские основания. Тип тиристора приводится на корпусе. [20]
Тиристоры кремниевые диффузионные структуры р-п-р-п триодные незапираемые импульсные. Предназначены для применения в качестве коммутирующих элементов в мощных импульсных модуляторах и других устройствах, формирующих короткие мощные импульсы. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Охлаждение естественное или принудительное. Тип тиристора приводится на корпусе. [21]
Тиристоры кремниевые диффузионные структуры р-п-р-п триодные импульсные незапираемые. Предназначены для применения в качестве коммутирующих элементов микросекундного диапазона модулирующих устройств. Выпускаются в ме-таллокерамическом корпусе с жесткими выводами. [22]
Тиристоры кремниевые диффузионные структуры р-п-р-п триодные незапираемые импульсные. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов. Выпускаются в металлокерамическом корпусе таблеточной конструкции. [23]
Тиристоры кремниевые диффузионные структуры р-п-р-п триодные импульсные незапираемые. Предназначены для применения в качестве ключевых элементов в устройствах формирования мощных импульсов. Выпускаются в металлокерамическом корпусе таблеточной конструкции. Охлаждение естественное или принудительное. Тип тиристора приводится на корпусе. [24]
Тиристоры кремниевые диффузионные структуры р-п-р-п триодные незапираемые импульсные высокочастотные. Предназначены для применения в мощных высоковольтных импульсных модулях. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Охлаждение естественное или принудительное. Тип тиристора приводится на корпусе. [25]
Тиристоры кремниевые диффузионные структуры р-п-р-п триодные незапираемые импульсные. Предназначены для применения в качестве ключевых элементов в пакетно-импульс-ных режимах схем питания импульсных ламп. [26]
Тиристоры кремниевые диффузионные структуры р-п-р-п триодные незапираемые импульсные. Предназначены для применения в качестве ключевых элементов в импульсных преобразовательных устройствах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе таблеточной конструкции. Охлаждение естественное или принудительное. Тип тиристора приводится на корпусе. [27]
Тиристоры кремниевые диффузионные структуры р-п-р-п триодные незапираемые импульсные. Предназначены для применения в качестве ключевых элементов в мощных генераторах и модуляторных устройствах. [28]
Тиристоры кремниевые диффузионные структуры р-п-р-п триодные импульсные незапираемые. Предназначены для применения в качестве ключевых элементов в малогабаритных преобразовательных устройствах. Выпускаются в металлоке-рамическом корпусе таблеточной конструкции. Охлаждение естественное или принудительное. Тип тиристора приводится на корпусе. [29]
Качество диффузионных структур зависит от чистоты процесса изготовления, качества поверхности полупроводниковой пластинки и точности поддержания заданной температуры диффузионного процесса. [30]