Диффузионная структура

Cтраница 4

Распределение примесей в р-п - р структуре, полученной методом двусторонней диффузии. [46]

Возможность создания невыпрямляющего базового контакта для структур, полученных двойной односторонней диффузией, достигается теми же путями, что и для диффузионных структур с двусторонней дифузией: вплавлением электрода, содержащего добавку того же типа, что и базовая примесь, селективным травлением и селективной диффузией. [47]

Методом ионного внедрения акцепторных примесей в SiC удается получить, в частности, светодиодные структуры с более высокими, чем у диффузионных структур, яркостными характеристиками. [48]

На основе модели с распределенными параметрами и методов численного решения основных уравнений полупроводниковой структуры разработана трехмерная модель интегрального биполярного транзистора относительно параметров диффузионной структуры и топологии. [49]

Наносят эмаль металлической или стеклянной иглой, окуная ее в тигелек с хорошо перемешанной эмалью и прикасаясь каплей эмали к основанию столбика, если защищают сплавной переход, или заливают ею весь лериметр кристалла, если обрабатывают диффузионную структуру. Лишнюю эмаль удаляют с иглы, протирая ее миткалем, смоченным толуолом. [50]

При этом решающими технологическими факторами, определяющими успех процесса, являются: время диффузии, температура, растворимость примеси, свойства источника диффузанта, условия на поверхности подложки, степень совершенства монокристаллической подложки и др. Естественно, что точность, с какой могут поддерживаться эти параметры в технологическом процессе, во многом определяет стабильность качества диффузионных структур, следовательно, и соответствующих электронных элементов ИМС. [51]

Приборы ПКП и СВП позволяют контролировать также параметры эпитаксиальных слоев на исходной полупроводниковой основе. Параметры диффузионных структур силовых кремниевых приборов, кремниевых и германиевых интегральных схем и кремниевых солнечных элементов контролируются радиоволновыми и вихретоковыми приборами на разных стадиях технологического процесса. Радиоволновые приборы серии СВП применяют для измерения поверхностного сопротивления Rs диффузионных слоев, например р - р - слоев силовых приборов, р - р-п - п - структур. Значение Rs низкоомных диффузионных слоев кремниевьк тири-сторных структур определяют приборами типа ВИИС. Все описанные измерения выполняются с помощью предварительно построенных по образцам градуировочных графиков. [52]

Для снижения времени жизни неравновесных носителей заряда в германий вводятся атомы золота. После получения диффузионной структуры кристаллы припаиваются к держателю 4 оловянным припоем с присадкой сурьмы. Со свободной стороны кристалла стравливается и-слой 3 и для получения хорошего омического контакта в обнаженную р-область вплавляются индиевые шарики 1 диаметром около 300 мк. Меза-структура получается глубоким химическим травлением кристалла с омическим контактом в смеси пергид-роли со щелочью. При этом стравливаются все диффузионные слои на незащищенной части поверхности кристалла. [53]

Структура фронта пламени при многостадийном механизме химического превращения, естественно, является более сложной, чем в случае одностадийной реакции, и определяется взаимодействием различных стадий процесса. Возможны и другие варианты тепловой и диффузионной структуры пламени. [54]

Страницы: 1 2 3 4