Диффузионная структура

Cтраница 3

Изготовление сферического шлифа на р-п-переходе. [31]

В диффузионных структурах обычно контролируют глубину залегания р - n - перехода, поверхностную концентрацию и характер распределения диффундирующей примеси. [32]

Маскирование локальных участков пластины лаком ХСЛ при изготовлении меза-стру-ктур.| Меза-струк-тура в разрезе. [33]

Контрастное окрашивание диффузионных структур на кремнии проводят 49 % - ным раствором HF с добавкой 0 1 % 70 % - ной HNO3 - При этом р-область селективно окрашивается вследствие более интенсивного оксидирования. [34]

Пластинку кремния с диффузионной структурой шлифуют последовательно тремя сортами тонкого абразива ( суспензия в воде) на стеклянной пластинке под углом 5 к поверхности. После шлифования пластинку кремния травят каплей смеси азотной и плавиковой кислот ( ОД-02 мл 69 5 % HNO3 на 100 мл 48 5 % HF), Каплю наносят на пластинку лишь на время, необходимое для отчетливого обнаружения перехода, и затем быстро смывают водой. Травленая р-область по сравнению с n - областью оказывается значительно темнее. Положение переходов определяется краями темного участка и может фиксироваться при помощи микрометрического микроскопа, снабженного вертикальным осветителем. [35]

Наилучшие результаты при формировании диффузионных структур в кремнии достигаются в том случае, если процесс диффузии проводить из образующегося на поверхности пластин слоя силикатного стекла, содержащего легирующую примесь, для чего процесс осуществляют в окислительной среде. Образующаяся в этих условиях тонкая пленка оксида, кроме того, предохраняет поверхность от эрозии. [36]

Таким образом, если диффузионную структуру пересекает цепочка дислокаций, то вблизи нее может увеличиваться электрическое поле ( из-за резкого искривления фронта диффузии) и снижаться пробивное напряжение. [37]

Получение невыпрямляющих контактов в диффузионных структурах - это задача более сложная. В некоторых случаях для этого используется сплавление, однако при этом надо учитывать, что поверхностные диффузионные слои могут иметь толщину порядка нескольких микрон или даже долей микрона. Поэтому глубина вплав-ления иногда не должна превышать одной-двух десятых микрона. Для нанесения на поверхность полупроводника электродных материалов приходится использовать прецизионное вакуумное напыление, а иногда химическое или гальваническое осаждение. В других случаях для создания невыпрямляющих контактов может использоваться напыление, химическое или гальваническое осаждение металлов без последующего вплавления. При этом может проводиться термическая обработка при температурах, не превосходящих точку появления жидкой фазы в системе полупроводник-нанесенный металл, для улучшения механического сцепления пленки с полупроводником. Если вплавление пленки не производится, то для обеспечения малого переходного сопротивления контакта следует следить за тем, чтобы поверхность полупроводника была легирована достаточно сильно. [38]

Акцепторными примесями, широко применяемыми в технологии изготовления диффузионных структур в кремнии и других полупроводниковых материалах, являются бор и галлий. В ряде случаев используют алюминий. [39]

Зависимость глубины расположения дефекта от количества атомов фосфора, содержащегося в точечном загрязнении, попавшем на поверхность кремния. [40]

Мы видим, что по различным причинам увеличение площади диффузионных структур представляет собой весьма сложную задачу, для решения которой необходимо преодолевать ак технологические препятствия, так и трудности принципиального характера. [41]

Тем не менее, несмотря на это, можно получать электронно-дырочные диффузионные структуры с минимальным разбросом характеристик, так как основные технологические переменные: темпера тура, время и начальная концентрация примеси в легированном полупроводнике поддаются точному регулированию, и хотя регулирование количества вещества в источнике примеси и более сложно, но является менее важным. [42]

Диффузия примесей из планарных ( параллельных) источников позволяет обеспечить хорошую воспроизводимость параметров диффузионных структур. В данном методе источник примеси, изготовленный в форме пластины, и пластины полупроводника размещают параллельно друг другу на расстоянии, не меньшем 2 yDt, где D - коэффициент диффузии в газовой фазе. Для того чтобы поток диффузанта по всей площади был равномерным, размеры пластин источника должны превышать размеры полупроводниковых пластин. [43]

Расчет удельных параметров распределенной модели, значения которых определяются одномерными процессами переноса носителей заряда в глубь диффузионной структуры. Эти параметры вычисляются из совместного решения одномерной системы уравнений непрерывности, переноса тока для носителей обоих знаков и уравнения Пуассона. Исходной информацией для расчетов на первом этапе являются параметры диффузионного профиля и электрофизические характеристики материала. [44]

Измерения проводят путем последовательного удаления тонких параллельных слоев или на косом шлифе, изготовленном на основе исследуемой эпитаксиаль-ной или диффузионной структуры. [45]

Страницы: 1 2 3 4