Тиристорная структура
Cтраница 1
Многослойные тиристорные структуры чаще всего создают в монокристаллических пластинках кремния путем последовательной диффузии различных примесей. Применяют также метод вплавле-ния примесей. [1]
 |
Структура трехэлек - довольно просто осуществить распре-тродного тиристора с распреде - wvju viumu. t. [2] |
Многослойные тиристорные структуры чаще всего создают в монокристаллических пластинках кремния путем последовательной диффузии различных примесей. Применяют также метод вплавле-ния примесей. Одним из перспективных методов изготовления ти-ристорных структур является метод эпитаксиального наращивания. Рассмотрим кратко метод изготовления и конструкцию мощного тиристора. В результате происходит диффузия акцепторной примеси в пластинку кремния на глубину 11 ( К-120 мкм и образуется р-я-р-структура с двумя р-я-переходами. [3]
Конструкция тиристорной структуры со сплавным термокомпенсатором, двухступенчатой фаской и с регенеративным управлением по току представлена на рис. 10.14. Как и в диодных структурах, компаунд, защищающий фаску, выступает над катодной поверхностью и часто используется для центровки тиристорных структур при их сборке в корпуса. [4]
 |
Зависимость рассеиваемой мощности от средней величины прямого тока. [5] |
Включение тиристорной структуры в проводящее состояние может быть осуществлено путем воздействия на нее света, который, поглощаясь в полупроводнике, генерирует электронно-дырочные пары. Если интенсивность света достаточно велика, то этот ток вызывает включение тиристора. [6]
Так как четырехслойную тиристорную структуру можно представить в виде двух моделирующих транзисторов, то для анализа переходных процессов в ней применимы основные положения метода заряда, разработанные для транзисторной структуры. [7]
Схемотехнически подобное построение тиристорной структуры может быть представлено как это показано на 2.45. Физически это представляет собой многоканальную структуру, в которой чередуются р - л-р - г7 - слои основной и вспомогательной областей. [8]
Достаточно быстрые процессы переключения тиристорных структур, особенно в цепях низкоомной нагрузки, требуют учета влияния паразитных индуктивностей схемы. [9]
Изготовление шунтов в эмиттерном переходе тиристорной структуры обусловлено тем, что это позволяет улучшить динамические характеристики и температурную стабильность параметров тиристоров. Естественно, что шунты необходимы и в тиристорах, выключаемых током управления. Однако из-за того, что часть тока управления ответвляется в шунты и снижается коэффициент К, в большинстве известных конструкций запираемых тиристоров шунты не применяются. Шунт, расположенный в центре элемента, экранируется окружающей его электронно-дырочной плазмой, накопленной в базе структуры, и ток управления до момента выключения протекает через прямосмещенный эмиттерный переход. Лишь после смещения всего эмиттерного перехода в обратном направлении ток управления начинает протекать через шунт. [10]
В результате воздействия тепла на тиристорную структуру поставляется энергия, необходимая для разрушения ковалентных связей. [11]
 |
Способы изоляции разветвленного управляющего электрода от катодного основания тиристора. [12] |
Рассмотрим некоторые особенности сборки в корпуса тиристорных структур с разветвленным управляющим электродом. На рис. 10.19, а изображен случай, когда для облегчения сборки в корпус разветвленный управляющий электрод тиристора изготавливается утопленным. В этом случае гальваническая развязка между катодным основанием 2 и разветвленным управляющим электродом 3 тиристорной структуры 1 обеспечивается воздушным зазором высотой около 15 - 20 мкм. [13]
С геометрическими и электрофизическими параметрами слоев тиристорной структуры связаны ее статические и динамические характеристики. Проанализируем наиболее важные для тиристоров, выключаемых током управления, конструктивные элементы и свойства слоев. [14]
В результате воздействия источника света на тиристорную структуру поставляется энергия, необходимая для разрушения ковалентных связей. После разрушения нескольких ковалентных связей этот процесс лавинообразно продолжается, р-я-переход / 2 переходит в проводящее состояние, и тиристор включается. [15]
Страницы: 1 2 3 4