Тиристорная структура

Cтраница 3

ПП генерируются носители заряда обоих знаков ( электроны и дырки), что приводит к увеличению тока через тиристорную структуру на величину фототока. А и напряжение от неск. [31]

Обычно это условие удовлетворяется раньше, чем условие равенства единице статических коэффициентов передачи тока первого и второго транзисторов, составляющих тиристорную структуру, гак как дифференциальные коэффициенты передачи несколько больше статических. [32]

Обычно это условие удовлетворяется раньше, чем условие равенства единице статических коэффициентов передачи тока первого и второго транзисторов, составляющих тиристорную структуру, так как дифференциальные коэффициенты передачи несколько больше статических. [33]

В работе Грехова И. В. и Уварова А. И. [2], в которой был использован метод рекомбинационного излучения, исследована неоднородность распределения плотности тока в тиристорных структурах. [34]

Из выражения (6.5) видно, что f / вкл всегда меньше напряжения пробоя перехода П2, что обусловлено наличием положительной обратной связи в тиристорной структуре. [35]

Максимально допустимая скорость нарастания прямого тока ( di / dt) max - скорость нарастания прямого тока через тиристор, не вызывающая необратимых процессов в тиристорной структуре и связанного с ними ухудшения электрических параметров тиристора. При любом способе включения тиристора процесс переключения начинает развиваться в ограниченном объеме, а затем распространяется по всей структуре. Таким образом, происходит неравномерное распределение тока по площади / j - n - переходов тиристора. [36]

Тиристор таблеточной конструкции. [37]

Внутренний управляющий вывод 9 проходит через отверстие сложной формы в катодном основании 2 и пружиной 10, помещенной в изоляторе 12, прижимается к управляющему электроду тиристорной структуры. Другим концом внутренний управляющий электрод 9 входит в трубку 12 керамического корпуса 4 и сплющивается в этой трубке. [38]

Выключение симисторов за счет изменения полярности приложенного к главным электродам напряжения также связано с процессом рассасывания избыточных носителей и протеканием через выключающуюся часть структуры обратного тока, в связи с чем встречно-параллельно включенная тиристорная структура из-за большой скорости нарастания на ней прямого напряжения может быть самопроизвольно включена. [39]

Временные зависимости напряжения на тиристоре и тока через тиристор, характеризующие процесс его включения. [40]

В интервал времени, определяемый временем нарастания, изменения тока, проходящего через тиристор, и падения напряжения на тиристоре соответствуют переходному участку вольт-амперной характеристики, который теоретически должен соответствовать условию равенства единице суммарного коэффициента передачи тиристорной структуры. Практически тиристор обычно включен в цепь, имеющую величину сопротивления меньшую, чем абсолютная величина отрицательного дифференциального сопротивления переходного участка его вольт-амперной характеристики. Поэтому в период времени нарастания суммарный коэффициент передачи тиристора превышает единицу и все время возрастает из-за быстрого роста тока через тиристор. Таким образом, в этот период времени тиристор находится в неустойчивом режиме, что соответствует активному процессу переключения из закрытого в открытое состояние. Если в это время ток управления прекратится, то тиристор самостоятельно перейдет в открытое состояние. Значит, длительность импульса тока управления для перевода тиристора в открытое состояние должна быть больше времени задержки. [41]

Конструкция тиристорной структуры со сплавным термокомпенсатором, двухступенчатой фаской и с регенеративным управлением по току представлена на рис. 10.14. Как и в диодных структурах, компаунд, защищающий фаску, выступает над катодной поверхностью и часто используется для центровки тиристорных структур при их сборке в корпуса. [42]

То - постоянная времени на этапе регенеративного нарастания тока в тиристоре, являющаяся функцией времени жизни носителей заряда, напряжения и параметров слоев структуры; Р ( п) - функция, характеризующая изменение концентрации носителей вследствие развития процесса одномерного включения тиристорной структуры. [43]

При включении по схеме с общим эмиттером коэффициент усиления по току превышает единицу ( В0 1), но не соблюдаются необходимые направления токов. В четырехслойной тиристорной структуре выполняются оба эти условия. [44]

Способы герметизации силовых полупроводниковых приборов. [45]

Страницы: 1 2 3 4